[发明专利]基于MOS管的信号延迟电路有效
| 申请号： | 201310313129.3 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103368536A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘俊杰;易金刚;董树荣;郭维;刘志伟 | 申请（专利权）人： | 苏州加古尔微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/13 | 分类号： | H03K5/13 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 mos 信号 延迟 电路 | ||
1.一种基于MOS管的信号延迟电路，其特征在于：包括电流源、P型MOS管PM1、N型MOS管NM1、N型MOS管NM2和正反馈电路，所述N型MOS管NM1、NM2和P型MOS管PM1的栅极共同与输入信号端连接，所述N型MOS管NM1的源极外接电流源，所述N型MOS管NM1的漏极通过电容C接地；所述P型MOS管PM1的源极外接电源电压，所述P型MOS管PM1的漏极与N型MOS管NM1、NM2的漏极共同连接，并为信号延迟电路的输出反向信号端；所述输出反向信号端为正反馈电路的输入端，所述正反馈电路的输出端为信号延迟电路的输出信号端。
2.根据权利要求1所述的基于MOS管的信号延迟电路，其特征在于：所述电流源为电流可控的尾电流源。
3.根据权利要求1所述的基于MOS管的信号延迟电路，其特征在于：所述电容为MOS电容或poly电容。
4.根据权利要求1所述的基于MOS管的信号延迟电路，其特征在于：所述正反馈电路包括P型MOS管PM2、N型MOS管NM3、N型MOS管NM4，所述P型MOS管PM2的栅极为正反馈电路的输入端，与所述P型MOS管PM1的漏极与N型MOS管NM1、NM2的漏极共同连接，所述P型MOS管PM2的源极外接电源电压，所述N型MOS管NM3的漏极与所述N型MOS管NM2的源极相连接；所述N型MOS管NM3的栅极、P型MOS管PM2的漏极与N型MOS管NM4的漏极共同连接，做为正反馈电路的输出端；所述N型MOS管NM4的漏极与所述P型MOS管PM1的漏极、N型MOS管NM1、NM2的漏极共同连接，做为正反馈电路的反馈与正反馈电路的输入端相连接。
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