[发明专利]一种栅控二极管反熔丝单元结构及其制作方法

权利要求书

1.一种栅控二极管反熔丝单元结构，其特征在于，至少包括：

沟道区，其导电类型可以为N型或P型；

P型区及N型区，分别连接于所述沟道区的两端，其中，所述N型区作为所述栅控二极管反熔丝单元结构的阴极，所述P型区作为所述栅控二极管反熔丝单元结构的阳极；

栅极结构，制作于所述沟道区表面。

2.根据权利要求1所述的栅控二极管反熔丝单元结构，其特征在于：所述P型区的掺杂离子为硼或铟，离子掺杂浓度为1e17/cm³～1e19/cm³，所述N型区的掺杂离子为磷或砷，离子掺杂浓度为1e17/cm³～1e19/cm³。

3.根据权利要求1所述的栅控二极管反熔丝单元结构，其特征在于：所述沟道区的导电类型为P型或N型，离子掺杂浓度为1e13/cm³～1e15/cm³。

4.根据权利要求1所述的栅控二极管反熔丝单元结构，其特征在于：所述栅极结构与所述P型区或N型区电性连接。

5.根据权利要求1所述的栅控二极管反熔丝单元结构，其特征在于：所述栅极结构至少包括制作于所述沟道区表面的栅氧层、及结合于所述栅氧层表面的电极层以及结合于所述栅氧层及电极层两侧的侧墙结构。

6.根据权利要求5所述的栅控二极管反熔丝单元结构，其特征在于：所述电极层的材料为多晶硅，所述侧墙结构的材料为SiO₂或Si₃N₄。

7.一种栅控二极管反熔丝单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中通过离子注入工艺形成阱区，其中，所述阱区为P型阱区或N型阱区，离子注入的剂量为1e13/cm³～1e15/cm³；

2)于所述阱区表面制作栅极结构；

3)采用离子注入工艺以及退火工艺分别于所述栅极结构两侧下方的阱区中形成N型区及P型区。

8.根据权利要求7所述的栅控二极管反熔丝单元结构的制作方法，其特征在于：步骤3)中，N型区离子注入的剂量为1e17/cm³～1e19/cm³，P型区离子注入的剂量为1e17/cm³～1e19/cm³，退火工艺的温度为600～900℃。

9.根据权利要求7所述的栅控二极管反熔丝单元结构的制作方法，其特征在于：还包括步骤4)，通过金属互连工艺将所述栅极结构与所述P型区或N型区互连。