[发明专利]一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源

说明书

技术领域

本发明涉及一种高电源抑制（PSR）、低工艺偏差带隙基准电压源，是一种高PSR、高精度、低温漂的带隙基准电压源。属于集成电路领域。

背景技术

电压基准是模拟和数模混合电路中重要组成部分，包括数模转换器、开关电源、线性电压调节器等电路中都离不开电压基准。同时，随着集成电路的不断发展，对电压基准要求越来越高，它的性能会影响到整个系统的性能。因此，设计一个性能良好的基准电压是非常有必要的。带隙基准源由于其良好的温度性能，稳定的电压输出，较低的功耗，是目前应用最广泛的电压基准源。

目前电源管理市场迅速发展，对开关电源芯片需求急剧上升，而且由于开关电源内部通常都有非常大的电源噪声，传统带隙基准电路如图1所示，电源和输出基准电压隔离不够，输出基准电压易受电源纹波及工艺角变化影响，而且，传统带隙基准由于不能消除工艺造成的输出电压变化，导致带隙基准初始电压输出精度不够，经常需要在封装前对电阻进行修调，成本大大增加。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术之不足，提供一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源，该基准电压源具有高电源抑制、高精度的优点。

为实现上述目的，本发明在传统带隙基准的基础上，增加了预调节电路、自适应工艺调节电路，提高了带隙基准电路PSR，减小了工艺角对输出电压的影响。

其技术方案如下：一种高电源抑制、低工艺偏差带隙基准电压源，其特征在于：包括带隙基准核心电路、预调节电路、自适应工艺调节电路、第一、第二偏置电路和启动电路；启动电路在电源电压上电时分别给第一偏置电路、第二偏置电路和带隙基准核心电路提供启动信号，使它们脱离简并态；第一偏置电路和第二偏置电路的输出分别连接自适应工艺调节电路和预调节电路，为它们提供偏置电压；预调节电路从带隙基准核心电路得到预调节信号，为第一偏置电路，自适应工艺调节电路和带隙基准核心电路提供预调节电压；自适应工艺调节电路从带隙基准核心电路得到工艺信息再返回工艺调节信息给带隙基准核心电路；带隙基准核心电路接受预调节信号和工艺调节信息，最后输出带隙基准电压Vref；其中：

带隙基准核心电路包括三极管Q1、Q2，电阻R1、R2，三极管Q2的发射极与电阻R2的一端、电阻R1的一端连接，电阻R2的另一端接地，电阻R1的另一端连接三极管Q1的发射极，三极管Q2的基极与三极管Q1的基极互连；

自适应工艺调节电路包括PMOS管M3、M4、M5、M6，NMOS管M7、M8、M9、M10、M11、M12及M13，电阻R3及R4；电阻R3的一端分别连接NMOS管M12的栅极和带隙基准核心电路中三极管Q1的集电极，电阻R4的一端分别连接NMOS管M11的栅极和带隙基准核心电路中三极管Q2的集电极，电阻R3及电阻R4的另一端与PMOS管M3、M4的源极连接在一起，PMOS管M3与M4的栅极互连，PMOS管M3的漏极与PMOS管M5的源极及NMOS管M11的漏极连接，PMOS管M4的漏极与PMOS管M6的源极及NMOS管M12的漏极连接，PMOS管M5与M6的栅极互连，PMOS管M5的漏极与NMOS管M7的漏极以及NMOS管M9和NMOS管M10的栅极连接在一起，PMOS管M6的漏极与NMOS管M8的漏极以及带隙基准核心电路中三极管Q1、Q2的基极连接，NMOS管M7、M8的栅极互连，NMOS管M11、M12的源极互连并与NMOS管M13的漏极连接，NMOS管M7、M8的源极分别连接NMOS管M9、M10的漏极，NMOS管M9、M10、M13的源极均接地；