[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法

说明书

本发明实施例包括有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备可以包括位于底板上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；以及包括连接至漏电极的第一电极、位于第一电极上的有机层以及位于有机层上的第二电极的有机发光二极管。漏电极可以具有比第一电极大的面积。

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年11月15日递交的韩国专利申请No.10-2012-0129665的优先权和权益，该韩国专利申请的整体内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法。

背景技术

一般而言，有机发光显示设备具有这样的结构：其中有机层位于阳极上，阳极的一部分通过像素限定层暴露，并且阴极位于有机层上。空穴和电子分别从阳极和阴极注入到有机层中。在有机层中，注入的电子和空穴复合以产生激子。激子以光的形式释放在从激发态落到基态时释放的能量。

已经对印刷有机发光显示设备以全色实现的有机层进行了研究。然而，通过印刷形成的有机层可能会使其边缘区域厚于其中心区域。由于这个原因，每个像素中的边缘区域的发光特性与中心区域的发光特性可能彼此不同，因此可能发出不均匀的光。结果，有机发光显示设备的显示质量可能降低。

发明内容

本发明实施例提供有机发光显示设备及其制造方法。

根据本发明的一方面，有机发光显示设备可以包括：薄膜晶体管，位于底板上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；以及有机发光二极管，包括连接至所述漏电极的第一电极、位于所述第一电极上的有机层以及位于所述有机层上的第二电极。这里，所述漏电极具有比所述第一电极大的面积。

所述有机层的与所述第一电极接触所述漏电极的区域相对应的第一部分的厚度，可以比所述有机层的与所述第一电极不接触所述漏电极的区域相对应的第二部分的厚度小。

所述第一电极可以包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻可以为从约10Ω/cm²到约300Ω/cm²。

所述漏电极可以被配置为反射光。

根据本发明的一方面，有机发光显示设备包括：位于底板上且包括源区和漏区的半导体层；位于所述半导体层上且与所述半导体层绝缘的栅电极；连接至所述源区的源电极以及连接至所述漏区的漏电极；具有暴露所述漏电极的第一开口的钝化层；第一电极，连接至所述漏电极，并且布置在所述第一开口处和所述钝化层上；像素限定层，具有暴露所述第一电极的一部分的第二开口；位于所述第一电极上的有机层；以及位于所述有机层上的第二电极。这里，通过所述第二开口暴露的面积比通过所述第一开口暴露的面积大。

在所述有机层中，与所述第一开口对应的第一区域的厚度可以比与所述第二开口对应的在所述第一开口外面的第二区域的厚度小。

所述第一电极可以包括透明导电氧化物，并且所述第一电极的表面电阻可以为从约10Ω/cm²到约300Ω/cm²。

所述漏电极可以被配置为反射光。

根据本发明实施例，所述像素限定层的表面具有拒液特性。

所述漏电极可以具有比所述第一电极大的面积。

根据本发明的一方面，一种制造有机发光显示设备的方法包括：在底板上形成包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管且具有暴露所述漏电极的开口的钝化层；以及形成包括连接至所述漏电极的第一电极、位于所述第一电极上的有机层以及位于所述有机层上的第二电极的有机发光二极管。这里，所述漏电极具有比所述第一电极大的面积。