[发明专利]一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法在审
| 申请号： | 201310314121.9 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103390705A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 方方 | 申请（专利权）人： | 广州金鉴检测科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 511300 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 控制 量子 阱膜层 厚度 外延 生长 方法 | ||
1.一种控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，在衬底表面上依次生长低温缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、量子垒层和量子阱层组成的多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化镓层、接触层，在其特征在于，在生长量子垒层和量子阱层组成的多量子阱层时分为两个生长阶段进行，分别控制每个生长阶段所用载气气氛和/或载气流量。
2.如权利要求1所述的控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，其特征在于，所述两个生长阶段中的载气气氛为氢气、或者为氮气、或者为氢气和氮气的组合，所述两个生长阶段中的载气气氛不同。
3.如权利要求2所述的控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，其特征在于，所述两个生长阶段中的载气的流量相同。
4.如权利要求2所述的控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，其特征在于，所述两个生长阶段中的载气的流量不同。
5.如权利要求1所述的控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，其特征在于，所述两个生长阶段中的载气气氛为氢气、或者为氮气、或者为氢气和氮气的组合，所述两个阶段中的载气气氛相同，两个生长阶段中的载气的流量不同。
6.如权利要求1所述的控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，其特征在于，所述两个生长阶段所设定的工艺时间相同，或者不同。
7.如权利要求1所述的控制量子阱膜层厚度外延生长的方法，其特征在于，所述两个生长阶段所生长的量子阱层厚度不同，量子垒层厚度不同或者相同。
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