[发明专利]鳍式二极管结构

权利要求书

1.一种鳍式二极管结构，包含：

一基底；

一掺杂井，形成在该基底中；

多个第一导电类型鳍部与多个第二导电类型鳍部凸出于该掺杂井上，其中各个这些第一导电类型鳍部以及这些第二导电类型鳍部以浅沟渠隔离结构分隔；以及

一第一导电类型掺杂区，全面性地形成在这些第一导电类型鳍部、这些第二导电类型鳍部以及该浅沟渠隔离结构与该掺杂井之间的该基底中并与这些第一导电类型鳍部以及这些第二导电类型鳍部连接，

其中该第一导电类型鳍部的掺杂浓度大于该第一导电类型掺杂区的掺杂浓度，该第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于该第一导电类型的掺杂井的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的鳍式二极管结构，其中该第一导电类型掺杂区在该第二导电类型鳍部中与该第二导电类型鳍部相接形成接面。

3.如权利要求1所述的鳍式二极管结构，其中该第一导电类型为P型，该第二导电类型为N型。

4.如权利要求1所述的鳍式二极管结构，其中该第一导电类型为N型，该第二导电类型为P型。

5.如权利要求1所述的鳍式二极管结构，其中该掺杂井为第一导电类型掺杂井或第二导电类型掺杂井。

6.一种鳍式二极管结构，包含：

一基底；

一掺杂井，形成在该基底中；

多个第一导电类型鳍部与多个第二导电类型鳍部从该基底上凸出，其中各个这些第一导电类型鳍部以及这些第二导电类型鳍部以浅沟渠隔离结构分隔；

至少一第一导电类型掺杂区，形成在这些第一导电类型鳍部以及部分的该浅沟渠隔离结构与该掺杂井之间的该基底中并与这些第一导电类型鳍部连接；以及

至少一第二导电类型掺杂区，形成在这些第二导电类型鳍部以及部分的该浅沟渠隔离结构与该掺杂井之间的该基底中并与这些第二导电类型鳍部连接，其中该第一导电类型掺杂区与该第二导电类型掺杂区在该基底中相接形成接面。

7.如权利要求6所述的鳍式二极管结构，其中该第一导电类型为P型，该第二导电类型为N型。

8.如权利要求6所述的鳍式二极管结构，其中该第一导电类型为N型，该第二导电类型为P型。

9.如权利要求6所述的鳍式二极管结构，其中该掺杂井为第一导电类型掺杂井或第二导电类型掺杂井。

10.如权利要求6所述的鳍式二极管结构，其中该第一导电类型鳍部的掺杂浓度大于该第一导电类型掺杂区的掺杂浓度，该第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于该第一导电类型的掺杂井的掺杂浓度。

11.一种制作鳍式二极管结构的方法，其步骤包含：

提供一基底；

在该基底中形成一掺杂井；

在该掺杂井中形成至少一第一导电类型掺杂区或至少一第二导电类型掺杂区；

对该第一导电类型掺杂区或该第二导电类型掺杂区进行一蚀刻工艺，以在该第一导电类型掺杂区或该第二导电类型掺杂区上形成多个鳍部；

在各个这些鳍部之间形成浅沟渠隔离结构；以及

对这些鳍部进行掺杂步骤，以形成第一导电类型鳍部以及第二导电类型鳍部。

12.如权利要求11所述的制作鳍式二极管结构的方法，其中该掺杂步骤包含离子布植工艺或扩散工艺。

13.如权利要求11所述的制作鳍式二极管结构的方法，其中该形成多个鳍部的步骤还包含：

在该第一导电类型掺杂区或该第二导电类型掺杂区上形成图案化硬遮罩层；以及

以该图案化硬遮罩层作为蚀刻遮罩对该第一导电类型掺杂区或该第二导电类型掺杂区进行蚀刻，形成该多个鳍部。