[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；

在所述多个化合物半导体层下方的电极层；

在所述多个化合物半导体层和所述电极层之间的沟道层；

在所述电极层下方的导电支撑构件；和

嵌入所述导电支撑构件中以间隔开的第一缓冲构件；

在所述第一导电半导体层上的电极；

其中所述沟道层的至少一个上表面暴露出，以及

其中所述第一缓冲构件利用所述电极层物理地连接至所述多个化合物半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个化合物半导体层的横向宽度小于所述导电支撑构件的横向宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf和由它们的选择性组合组成的材料中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括具有欧姆特性的反射电极材料。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括形成于所述电极层和所述第二导电半导体层之间的欧姆特性图案。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括基于氧化物或氮化物的导电材料。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括形成于所述电极层和所述第二导电半导体层之间的电流阻挡层。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件包含热膨胀系数比所述导电支撑构件的热膨胀系数小的材料。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件包含SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、SiO_x、SiN_x2、SiN_x、SiO_xN_y和光刻胶中的任一种。

10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件包括点阵图案、条图案、多个圆顶图案、多个同心圆图案和交叉型矩阵图案中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件的高度形成为与所述导电支撑构件的厚度相同。

12.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件布置为具有规则间隔或不规则间隔。

13.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件形成为距离所述电极层的底部约10μm至约300μm。

14.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述导电支撑构件包括Cu、Au、Ni和Mo中的至少一种。

15.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟道层在所述第二导电半导体层的下表面周边处形成为框状。

16.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括进入所述多个化合物半导体层中的绝缘突起。

17.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述电极下方的第一缓冲构件的高度比所述沟道层下方的第一缓冲构件的高度高。

18.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括设置在所述电极层下方以与所述电极垂直重叠的第二缓冲构件。

19.根据权利要求18所述的半导体发光器件，其中所述第二缓冲构件包括金属。

20.根据权利要求19所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件和所述第二缓冲构件二者均形成在所述导电支撑构件内。