[发明专利]一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201310314965.3 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN103400896A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 方小红;于洋;陈小源 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海高等研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02;H01L31/06;H01L21/683 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硒 柔性 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
1)提供刚性衬底,于所述刚性衬底表面形成剥离层;
2)于所述的剥离层表面形成聚合物薄膜层;
3)于所述的聚合物薄膜层表面形成铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系;
4)藉由所述剥离层将所述的聚合物薄膜层及铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系与所述刚性衬底分离。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤3)包括以下步骤:
3-1)制备含Na功能层;
3-2)制备底电极;
3-3)制备吸收层,所述吸收层包括铜铟硒薄膜、铟镓硒薄膜、及铜铟镓硒硫薄膜的一种或其中两种的复合层;
3-4)制备缓冲层;
3-5)制备窗口层;
3-6)制备透明导电层;
3-7)制备上电极和减反射膜。
3.根据权利要求2所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:以NaF、Na2Se、Na2S、NaxO为蒸发材料采用蒸发法制备所述含Na功能层,或者以钠钙玻璃为靶材采用磁控溅射法制备所述含Na功能层。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述刚性衬底包括玻璃、石墨、多孔碳中的一种。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述剥离层为脱模剂、硅胶、碳浆、NaCl或上述材料的混合物的耐高温材料。
6.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述的剥离层的厚度为1~30微米。
7.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述聚合物薄膜层的材料包括聚酰亚胺、聚丙烯酸、聚氨酯、含氟聚合物中的一种。
8.根据权利要求7所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述聚合物薄膜层包含N-甲基吡咯烷酮或氯仿溶剂。
9.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述聚合物薄膜层的厚度为1~200微米。
10.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述聚合物薄膜层制备工艺包括浸渍提拉、旋涂、刮刀、喷涂、湿涂、丝网印刷、滚轮涂布、板式涂布中的一种或两种以上。
11.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述的聚合物薄膜层形成后还包括进行热处理的步骤。
12.根据权利要求1所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤4)的采用提拉剥离或水溶剥离的方式剥离所述剥离层,使所述聚合物薄膜层及铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系整体性的与所述刚性衬底分离。
13.根据权利要求12所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述聚合物薄膜层及铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系整体性的与所述刚性衬底分离时,所述剥离层全部或部分与所述的刚性衬底分离。
14.根据权利要求13所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:还包括将分离后的聚合物薄膜层及铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层与金属或聚合物结合形成一体化太阳电池,或与应用器件结合形成一体化器件的步骤。
15.一种铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池,其特征在于:包括:
聚合物薄膜层;
铜铟镓硒薄膜太阳电池功能层系,包括:含Na功能层、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层、减反射膜及上电极。
16.根据权利要求15所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池,其特征在于:所述的含Na功能层为钠钙玻璃薄膜层、NaF层、Na2Se层、Na2S层及NaxO层的一种。
17.根据权利要求15所述的铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池,其特征在于:所述聚合物包括聚酰亚胺、聚丙烯酸、聚氨酯、含氟聚合物中的一种,厚度为1~200微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的