[发明专利]极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法

权利要求书

1.一种极紫外光刻机光源系统，其特征在于，包括：

激光辐射装置，适于提供激光辐射；

极紫外光激发源，适于接受激光辐射而产生极紫外光，在激光辐射中产生凝聚态颗粒飞出极紫外光激发源；

收集器，用于收集极紫外光；其中，所述收集器包括若干反射镜，所述反射镜在收集极紫外光时配置成反射态和非反射态，其中，所述反射态适于反射极紫外光；非反射态适于躲避凝聚态颗粒污染；其中，凝聚态颗粒于激光辐射后T时间到达收集器。

2.如权利要求1所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，当所述反射镜配置成反射态时，若干反射镜配置成汇聚极紫外光；当所述反射镜配置成非反射态时，所述反射镜转动反射面与凝聚态颗粒飞行方向平行。

3.如权利要求1所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述激光辐射为脉冲模式；所述反射镜配置为非反射态的时间滞后于激光脉冲持续时间，以躲避凝聚态颗粒飞行方向。

4.如权利要求1所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述激光辐射为脉冲模式，所述反射镜配置为非反射态的时间为与脉冲持续时间滞后T时间，所述T时间在范围2毫秒至12毫秒。

5.如权利要求4所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述激光辐射为CO₂激光器激发的波长为10.6微米的激光。

6.如权利要求1所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述极紫外光激发源材料为Xe、Sn或Li。

7.如权利要求1所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述反射镜材料为钼、钼合金、硅、钌或钌合金；或所述反射镜基体为硅，且基体表面镀有多层硅钼膜、钼合金、钌或钌合金膜层结构。

8.如权利要求1所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，还包括：设置于收集器外围的凝聚态颗粒收集器。

9.一种极紫外光刻机光源系统，其特征在于，包括：

高压放电等离子体施加装置，适于施加高电压；

极紫外光激发源，适于接受高电压放电而产生极紫外光，所述极紫外光激发源在高电压放电中产生凝聚态颗粒飞出极紫外光激发源；

收集器，用于收集极紫外光；其中，所述收集器包括若干反射镜，所述反射镜在收集极紫外光时配置成反射态和非反射态，其中，所述反射态适于反射极紫外光；非反射态适于躲避凝聚态颗粒污染；其中，凝聚态颗粒于高电压放电后T2时间到达收集器。

10.如权利要求9所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，当所述反射镜配置成反射态时，若干反射镜配置成汇聚极紫外光；当所述反射镜配置成非反射态时，所述反射镜转动至凝聚态颗粒飞行方向。

11.如权利要求9所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述高电压施加为脉冲模式，所述反射镜配置为非反射态的时间滞后于脉冲持续时间，以躲避凝聚态颗粒飞行方向。

12.如权利要求9所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述高电压施加为脉冲模式，脉冲持续时间为1纳秒至1毫秒，所述反射镜配置为非反射态的时间以T2时间滞后于脉冲持续时间，所述T2时间在范围2毫秒至12毫秒。

13.如权利要求9所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述极紫外光激发源材料为Xe、Sn或Li。

14.如权利要求9所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，所述反射镜材料为钼、钼合金、硅、钌或钌合金；或所述反射镜基体为硅，且基体表面镀有多层硅钼膜、钼合金、钌或钌合金膜层结构。

15.如权利要求9所述的极紫外光刻机光源系统，其特征在于，还包括：设置于收集器外围的凝聚态颗粒收集器。

16.一种极紫外曝光方法，其特征在于，包括：

采用极紫外光刻机光源系统产生极紫外光，极紫外光激发源在激光辐射中产生凝聚态颗粒飞出极紫外光激发源；

其中，在激发极紫外光激发源产生极紫外光时，极紫外光刻机光源系统的反射镜配置成反射态，所述反射态适于反射极紫外光；

在激发极紫外光激发源产生极紫外光后，极紫外光刻机光源系统的反射镜配置成非反射态，所述非反射态适于躲避凝聚态颗粒污染。