[发明专利]一种表面粗化发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310316475.7 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103400908A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 郑远志;康建;陈向东;徐琦;陈静 | 申请（专利权）人： | 马鞍山圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/22;H01L33/50 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种表面粗化发光二极管，包括衬底、衬底正面依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层和P型半导体层被部分除去以暴露出部分的N型半导体层，其特征在于，所述N型半导体层暴露部分的表面和P型半导体层具有一粗化表面。
2.根据权利要求1所述的表面粗化发光二极管，其特征在于，N型半导体层暴露部分的表面设置N型电极，P型半导体层的表面设置P型电极，设置N型电极和P型电极的区域是平坦化表面。
3.根据权利要求1所述的表面粗化发光二极管，其特征在于，所述N型半导体层、有源层和P型半导体层的材料为氮化物半导体材料。
4.一种表面粗化发光二极管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底，所述衬底正面依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层；
除去部分的有源层和P型半导体层，以暴露出部分的N型半导体层；
将衬底放入干法蚀刻设备中进行刻蚀，使P型半导体层和N型半导体层的露出部分的表面粗化；
在N型半导体层暴露部分的表面形成N型电极，并同时在P型半导体层暴露部分表面形成P型电极。
5.根据权利要求4所述的表面粗化发光二极管的制作方法，其特征在于，在将衬底放入干法蚀刻设备中进行刻蚀的步骤之前，进一步包括在N型半导体层暴露部分的表面和P型半导体层的表面用于形成电极的区域生长阻挡层的步骤。
6.根据权利要求5所述的表面粗化发光二极管的制作方法，其特征在于，在刻蚀的步骤实施完毕后去除所述N型半导体层表面的阻挡层。
7.根据权利要求4所述的表面粗化发光二极管的制作方法，其特征在于，所述N型半导体层、有源层和P型半导体层的材料为氮化物半导体材料。
8.根据权利要求4所述的表面粗化发光二极管的制作方法，其特征在于，所述将衬底放入干法蚀刻设备中进行刻蚀的步骤进一步是采用等离子体干法刻蚀。
9.根据权利要求8所述的表面粗化发光二极管的制作方法，其特征在于，包括第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，所述第一刻蚀步骤采用的刻蚀气体是Ar，第二刻蚀步骤采用的刻蚀气体是Cl2。
10.根据权利要求9所述的表面粗化发光二极管的制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀步骤中的刻蚀气体进一步包括BCl3。
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