[发明专利]一种用于制备图形衬底的一体化湿法腐蚀设备在审
申请号: | 201310316617.X | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN104347386A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 孙永健;杨海艳 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/673 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 朱红涛 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 制备 图形 衬底 一体化 湿法 腐蚀 设备 | ||
1.一种用于制备图形衬底的一体化湿法腐蚀设备,该设备包括:控制单元;图形衬底制备单元;其中,
控制单元主要为控制面板,包括:水路系统、风路系统、电力系统和酸腐废液排放系统;所述的控制单元的主要功能为:除对水路、风路、电力和酸排系统地控制外,还对图形衬底制备单元的控制,包括对酸腐蚀以及掩膜腐蚀的温度、时间控制程序设定;清洗模组程序设定,以及对设备辅助功能的控制及酸腐槽超温报警的控制;
图形衬底制备单元主要分为:高、低温酸腐模组,图形掩膜制备模组和清洗模组;
所述一体化湿法腐蚀设备主要包括如下部件:控制面板;高、低温酸性溶液腐蚀槽;BOE腐蚀槽;去离子水清洗槽;丙酮槽;氢氟酸腐蚀槽;挡板;槽体盖;排风系统;图形掩膜制备用特制腐蚀支架;
所述的控制面板,可对每个槽体进行独立操控,可显示每个槽体内液体的温度、腐蚀或清洗的时间;可设定对时间、温度的提醒功能;所述控制面板上设有每个槽体的时间和温度的控制模块及显示模块;
所述的高、低温酸性溶液腐蚀槽,把高温酸腐槽和低温酸腐槽放到同一个腐蚀大区,用挡板隔开;高、低温酸性溶液腐蚀槽温度可控为0°~350°;在样品进行图形酸腐时通过精确的控温以降低湿法腐蚀的难度,保证湿法腐蚀图形化衬底时的图形完整性;
所述的BOE腐蚀槽,位于另一腐蚀大区的左部;
所述的去离子水清洗槽,用以隔开BOE腐蚀槽与丙酮槽、氢氟酸腐蚀槽,能够更好地阻止各腐蚀的反应;其材料内壁平滑,不易挂污物;
所述的槽体盖,在所述的每个槽体上配备;
所述的电力系统,除了为本发明提供源源不断的电力支持正常运转外,亦可对每个槽体进行独立控制的模组提供与之相匹配的电力控制;
所述的排风系统,为负压抽气式排风装置,位于所述设备腐蚀区的上方及后方;可独立控制对风量大小进行调节;
所述的水路系统,用于对清洗晶片的、停止湿法腐蚀进程的去离子水的供给和排放;
所述的酸腐废液排放系统,用于对高低温酸腐蚀废液、BOE腐蚀废液及氢氟酸腐蚀废液单个的、单独地进行控制排放。
2.如权利要求1所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,所述的高、低温酸性溶液腐蚀槽所选材料为石英、陶瓷、塑料或其他抗高温抗酸腐蚀材料;所述的BOE腐蚀槽体采用石英、陶瓷、塑料或其他能抗氢氟酸和氟化铵溶液的材料;所述的去离子水清洗槽材料为石英、陶瓷、塑料或其他能抗氢氟酸和氟化铵溶液的材料;所述的氢氟酸腐蚀槽,其材料为石英或能抗氢氟酸及其溶液的材料;所述的酸腐废液排放系统,采用石英或其他抗酸腐蚀材料。
3.如权利要求1所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,所述的挡板,位于所述设备的中央,可手动升降或电动控制,把湿法腐蚀设备腐蚀区分为两个腐蚀大区,阻挡两个腐蚀大区液体间的影响;挡板厚度为0.5-10cm;挡板升起后高度1-60cm范围内,应超过另一腐蚀区槽体至少10cm;所述挡板为耐酸、抗碱材料。
4.如权利要求3所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,所述的挡板,选用透明材质的材料。
5.如权利要求1所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,所述的图形掩膜制备用腐蚀支架,为非固定在设备上的、独立的与本发明所述一体化湿法腐蚀设备配套使用的个体;所述腐蚀支架由腐蚀托盘及托盘支架组成,所述腐蚀支架的底部为水平托盘,托盘的形状为圆形、椭圆形、方形或多边形,托盘沿盘直径两端做支撑,上端有手柄相连,且手柄上要有和手型相对应的防滑凹槽;托盘正面为按一定间距排列的容纳相应尺寸晶片的浅槽;腐蚀支架托盘上分布有贯穿托盘正反面的孔洞。
6.如权利要求1所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,所述控制面板采用手套箱式操作面板,面板孔洞的大小应使整条手臂都能进入操作区进行湿法腐蚀操作;所述的操作面板材料选用抗酸且透明的材料;操作手套为橡胶手套或其他可抗腐蚀材料制作。
7.如权利要求1所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,所述控制面板采用对开式操作保护面板或下拉式操作保护面板。
8.如权利要求1所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,包括耐高低温的照明装置,位于设备腐蚀区的左右侧壁板中上方,光源外罩具有抗腐蚀性。
9.如权利要求1所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,所述腐蚀槽全部设计为椭圆形;或者全部为矩形;或者丙酮槽、氢氟酸腐蚀槽为矩形,其余为椭圆形。
10.如权利要求1所述的一体化湿法腐蚀设备,其特征是,所述腐蚀槽的分布设计成直线平摊式,该设计方案中无挡板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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