[发明专利]一种IGBT的制造方法在审
| 申请号： | 201310316790.X | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104347398A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄璇;王万礼;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅;张莉 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 制造 方法 | ||
1.一种IGBT的制造方法，其特征在于，其包括：
提供具有第一表面和第二表面的第一导电类型或第二导电类型的衬底；
在所述衬底的第一表面间隔的形成延伸入所述衬底内的第二导电类型或第一导电类型的通道，其中所述通道的导电类型与所述衬底的导电类型不同；
在所述衬底的第一表面上外延制备第二导电类型的缓冲区，并在所述缓冲区的外表面上外延形成第二导电类型的漂移区；
基于所述漂移区形成所述IGBT的正面结构；
自所述衬底的第二表面开始减薄所述衬底直到露出所述通道，此时所述通道和减薄后的衬底间隔交错排布；
在所述通道和减薄后的衬底上形成背面金属电极，该背面金属电极与所述通道和减薄后的衬底电性接触。
2.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，提供的衬底的厚度为100-650um，电阻率为0.001～100Ω*cm。
3.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，通过光刻、离子注入、高温推阱、激活工艺在所述衬底的第一表面侧间隔的形成所述通道，所述离子注入的注入剂量为1E13～1E20cm-2，能量为30～200KEV。
4.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，外延制备的缓冲区的厚度为2～100um，电阻率为5～100Ω*cm。
5.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，外延形成的漂移区的厚度为10～650um，电阻率为5～500Ω*cm。
6.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述衬底的厚度、所述外延制成的缓冲区的厚度和所述外延形成的漂移区的厚度的三者之和为正常流通硅片厚度。
7.根据权利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述IGBT的正面结构包括：
在所述漂移区的上表面上有选择的形成的第一导电类型的基区；
在所述基区内有选择的形成的第二导电类型的发射极区；
位于所述漂移区的上表面上的栅氧化层；
在所述栅极氧化层的上表面上形成的多晶硅栅极；
覆盖所述栅极氧化层和多晶硅栅极的介质层；
与所述基区和所述发射极区电性接触的正面金属电极。
8.根据权利要求7所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述IGBT的正面结构包括：
形成于正面金属电极外侧的钝化层。
9.根据权利要求1-8任一所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
