[发明专利]磁敏线、磁阻抗元件及磁阻抗传感器有效
申请号: | 201310317044.2 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN103454601A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 本藏义信;山本道治;滨田典彦;下出晃宏 | 申请(专利权)人: | 爱知制钢株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁敏线 磁阻 元件 传感器 | ||
1.一种磁敏线,由零磁致伸缩的Co-Fe-Si-B类软磁性合金的非晶丝构成,其特征在于,
通过在对所述非晶丝施加30~2000MPa的张力的同时实施在未完全结晶化的温度内对所述非晶丝进行加热的热处理而得到,
所述磁敏线的直径为0.5~15μm。
2.如权利要求1所述的磁敏线,其中,所述Co-Fe-Si-B类软磁性合金,整体采用100原子%时,Co:60~80原子%、Fe:3~7原子%、Si:5~20原子%及B:7~30原子%。
3.如权利要求1所述的磁敏线,其中,所述热处理的温度为300~650℃。
4.如权利要求1所述的磁敏线,其中,所述热处理在非活性气体氛围或真空中进行。
5.如权利要求1所述的磁敏线,其磁滞特性为7A/m以下、直线性为2%F.S.以下。
6.一种磁阻抗元件,其特征在于,以权利要求1所述的磁敏线作为磁检测体。
7.一种磁阻抗传感器,其特征在于,具备权利要求6所述的磁阻抗元件。
8.一种磁敏线的制造方法,其特征在于,对由Co-Fe-Si-B类软磁性合金构成的非晶丝,在施加30~2000MPa的张力的同时实施在未完全结晶化的温度内进行加热的热处理。
9.如权利要求8所述的磁敏线的制造方法,其中,所述Co-Fe-Si-B类软磁性合金,整体采用100原子%时,Co:60~80原子%、Fe:3~7原子%、Si:5~20原子%及B:7~30原子%。
10.如权利要求8所述的磁敏线的制造方法,其中,所述热处理的温度为300~650℃。
11.如权利要求8所述的磁敏线的制造方法,其中,所述热处理在非活性气体氛围或真空中进行。
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