[发明专利]一种液晶显示面板和显示装置在审
申请号: | 201310317263.0 | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN103412447A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/133 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示面板和显示装置。
背景技术
开关晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。
液晶显示器按照显示模式可以分为:扭曲向列(Twisted Nematic,TN)型,平面转换(In Plane Switching,IPS)型和高级超维场开关(AdvancedSuper Dimension Switch,ADS)型。其中,ADS模式液晶显示器通过液晶显示器中同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与面状电极层间产生的电场形成多维电场,该电场为水平电场,该水平电场使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率和显示视角。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
ADS模式液晶显示器具体通过位于阵列基板上的公共电极和像素电极之间产生的电场形成多维电场,实现宽视角显示。目前,ADS模式的液晶显示器的视角宽度还需要进一步提高。
发明内容
本发明实施例提供一种液晶显示面板和显示装置,用以提供一种视角较宽的液晶显示面板和显示装置。
为实现上述目的,本发明实施例提供的液晶显示面板,包括:相对设置的第一基板和第二基板,以及位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层;还包括位于所述第二基板上靠近所述液晶层一侧的彩色树脂层;还包括位于所述第一基板上靠近所述液晶层一侧不同层设置的公共电极和像素阵列;
所述像素阵列中的每一子像素单元区域设置有第一像素电极和第二像素电极,以及位于所述第一像素电极和第二像素电极的相邻区域用于与所述第二像素电极产生耦合电容的耦合电极。当为第一像素电极施加数据信号电压VData1时,由于耦合电极的作用,第二像素电极上产生数据信号电压VData2,VData1≠VData2。位于第一像素电极上方和第二像素电极上方的液晶分子的倾角不同,增加了液晶显示面板的视角。此外第一像素电极和第二像素电极二者之间形成电场,使得液晶层内的液晶分子所受的水平电场(方向平行于第一基板的电场)增强,降低了液晶显示面板的驱动电压,提高了图像显示品质。
较佳地,所述第一像素电极包括多个排列方向一致的狭缝,每一狭缝的中间区域具有弯折点,朝向第一设定方向弯折,使得狭缝的两端点和弯折点构成一个以弯折点为顶点的等腰三角形;
所述第二像素电极包括多个与所述第一像素电极中的狭缝排列方向一致的狭缝,每一狭缝的中间区域具有弯折点,朝向第二设定方向弯折,使得狭缝的两端点和弯折点构成一个以弯折点为顶点的等腰三角形。第一像素电极和第二像素电极分别包括具有一定弯折角度的狭缝状电极,使得液晶分子的呈多畴状分布程度更大,实现液晶显示面板的多畴显示,更进一步扩大了液晶显示面板的视角。
较佳地,所述第一像素电极和第二像素电极中的各狭缝形状呈尖括弧或圆括弧状,使得液晶分子在狭缝两侧的像素电极上的分布呈多畴状。
较佳地,所述第一像素电极和第二像素电极中的各狭缝沿与矩形状的子像素单元的短边方向延伸。
较佳地,所述第一设定方向和第二设定方向同向;或者所述第一设定方向和第二设定方向反向。
较佳地,所述耦合电极位于所述公共电极与所述第一像素电极和第二像素电极之间,并与公共电极和第二像素电极保持绝缘,使得耦合电极与第二像素电极形成耦合电容。
较佳地,所述耦合电极通过过孔与所述第一像素电极电性相连。
较佳地,还包括位于所述子像素单元内的开关晶体管,所述耦合电极与所述开关晶体管的漏极电性相连。
较佳地,所述耦合电极为矩形状电极,矩形状电极的长边与所述狭缝的延伸方向平行。
较佳地,还包括第一绝缘层和第二绝缘层;
所述公共电极位于所述第一基板上方;
所述第二绝缘层位于所述公共电极上方;
所述耦合电极位于所述第二绝缘层上方;
所述第一绝缘层位于所述耦合电极上方;
所述各第一像素电极和第二像素电极位于所述第一绝缘层上方。
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