[发明专利]一种具有电子阻挡层结构的发光二极管

权利要求书

1.一种具有电子阻挡层结构的发光二极管，其特征在于：包括从下至上依次设置的衬底（101）、缓冲层（102）、n型GaN外延层（103）、InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）、p型超晶格结构的电子阻挡层（106）、p型GaN外延层（107）和透明导电层（108），所述透明导电层（108）的顶面上设置有p型电极（110），所述n型GaN外延层（103）刻蚀出阶梯台面，所述阶梯台面的延伸与InGaN/GaN多量子阱的有源发光层（105）的底面连接，所述阶梯台面上设置有n型电极（104），所述透明导电层（108）的顶面上还覆盖有钝化层（109），所述钝化层（109）通过一个侧边延伸至n型GaN外延层（103）的阶梯上；

所述p型超晶格结构是由四元氮化物层与氮化物层交替叠加构成若干超晶格结构周期，所述四元氮化物层的材料为四元氮化物p-In_xAl_yGa_zN，所述氮化物层的材料为AlN，GaN，InN中的任意一种二元氮化物或者AlGaN，InAlN，InGaN中的任意一种三元氮化物，其中0<x≤1，0<y≤1,0<z≤1。

2.根据权利要求1所述的一种具有电子阻挡层结构的发光二极管，其特征在于：所述p型超晶格结构周期数范围为1-20，每个周期的厚度为5nm-20nm。

3.根据权利要求1所述的一种具有电子阻挡层结构的发光二极管，其特征在于：所述p型超晶格结构的掺杂剂为Mg。

4.根据权利要求1所述的一种具有电子阻挡层结构的发光二极管，其特征在于：所述四元氮化物层的材料为p-InAlGaN。