[发明专利]刻蚀机和利用刻蚀机刻蚀晶片的方法

权利要求书

1.一种刻蚀机，该刻蚀机包括具有刻蚀腔的刻蚀机本体，其特征在于，所述刻蚀机还包括紫外光发生装置，该紫外光发生装置设置在所述刻蚀腔外部，该紫外光发生装置中产生的紫外光能够射入所述刻蚀腔内，照射所述刻蚀腔内的光刻胶，以打断所述光刻胶的分子结构中的“C＝O”键，降低“C＝O”键的比例；所述刻蚀机本体的侧壁上设置有导光通孔，该导光通孔内设置有紫外透镜组，所述紫外光发生装置包括设置有紫外光发生腔的紫外光发生本体和用于提供气体的气体源，所述紫外透镜组将导光通孔密封，以防止刻蚀腔内的气体与紫外光发生腔发生互串；所述紫外光发生腔通过所述导光通孔和所述紫外透镜组与所述刻蚀腔光路相通，所述紫外光发生腔与所述气体源流体相通；所述气体源与所述刻蚀腔选择性地流体相通。

2.根据权利要求1所述的刻蚀机，其特征在于，所述紫外光发生装置中产生的紫外光能够通过所述紫外透镜组射入所述刻蚀腔内，且所述紫外透镜组能够将所述紫外光发生装置中产生的紫外光分散。

3.根据权利要求2所述的刻蚀机，其特征在于，所述紫外光发生装置还包括缠绕在所述紫外光发生本体外部的第一射频线圈。

4.根据权利要求3所述的刻蚀机，其特征在于，所述气体源能够提供H₂、HBr、NH₃和He中的任意一种。

5.根据权利要求3所述的刻蚀机，其特征在于，所述紫外光发生装置还包括与所述紫外光发生腔流体相通的抽真空泵。

6.根据权利要求3至5中任意一项所述的刻蚀机，其特征在于，所述紫外光发生装置还包括第一屏蔽壳体，该第一屏蔽壳体罩在所述第一射频线圈外部。

7.一种利用刻蚀机刻蚀晶片的方法，其特征在于，所述刻蚀机包括具有刻蚀腔的刻蚀机本体，所述刻蚀机还包括紫外光发生装置，所述刻蚀机本体的侧壁上设置有导光通孔，该导光通孔内设置有紫外透镜组，所述紫外光发生装置包括设置有紫外光发生腔的紫外光发生本体和用于提供气体的气体源，紫外透镜组将导光通孔密封，以防止刻蚀腔内的气体与紫外光发生腔发生互串；所述紫外光发生腔通过所述导光通孔和所述紫外透镜组与所述刻蚀腔光路相通，所述紫外光发生腔与所述气体源流体相通；所述气体源与所述刻蚀腔选择性地流体相通，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤100、光刻胶处理：利用所述刻蚀腔外部的紫外光对所述刻蚀腔内的曝光后的光刻胶进行照射，以打断所述光刻胶的分子结构中的“C＝O”键，降低“C＝O”键的比例；

步骤200、刻蚀：将所述刻蚀腔内照射过紫外光的光刻胶的图形转印到晶片上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤100包括：

步骤110、利用所述紫外光发生装置产生所述紫外光；

步骤120、通过所述导光通孔内的所述紫外透镜组将所述紫外光导入所述刻蚀腔内。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述紫外光发生装置还包括缠绕在所述紫外光发生本体外部的第一射频线圈，在进行所述步骤110时，所述紫外光发生腔内的气压为2mT至100mT。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在进行所述步骤110时，所述紫外光发生腔内的气压为2mT至20mT。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述气体源能够提供H₂、HBr、NH₃和He中的任意一种，在所述步骤110时，所述紫外光发生腔内，所述气体源提供的气体的流量为50sccm至300sccm。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述步骤110时，所述紫外光发生腔内，所述气体源提供的气体的流量为100sccm至200sccm。