[发明专利]非易失性存储单元和存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储单元，其特征在于，包括：差分存储电路、写入电路和读出电路；其中

所述写入电路的待存储数据输入端用于输入待存储数据，所述写入电路的读写信号输入端用于输入读写信号，所述写入电路用于根据输入的待存储数据和读写信号输出存储控制信号，以控制所述差分存储电路存储数据；

所述差分存储电路的输入端与所述写入电路连接，所述差分存储电路包括两组存储组件，在一个存储周期内，其中一组存储组件根据所述存储控制信号执行编程操作，且另一组存储组件根据所述存储控制信号执行擦除操作；

所述读出电路与所述差分存储电路的输出端连接，所述读出电路的读写信号输入端用于输入所述读写信号，所述读出电路用于根据所述读写信号将所述差分存储电路中存储的数据输出。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述两组存储组件包括第一浮栅晶体管和第二浮栅晶体管，所述第一浮栅晶体管的栅极与所述第二浮栅晶体管的漏极连接，所述第二浮栅晶体管的栅极与所述第一浮栅晶体管的漏极连接；

所述第一浮栅晶体管的漏极和所述第二浮栅晶体管的漏极分别与所述写入电路的输出端连接；

所述第一浮栅晶体管的源极和所述第二浮栅晶体管的源极分别与所述读出电路的数据输入端连接。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述写入电路包括：读写逻辑控制组件和编程电压切换组件；

所述读写逻辑控制组件的输入端分别接收所述待存储数据和读写信号，用于根据所述待存储数据和读写信号产生读写参考信号；

所述编程电压切换组件与所述读写逻辑控制组件连接，用于当所述编程电压切换组件的输入电压升高至编程电压时，根据所述读写参考信号输出所述存储控制信号，以控制所述两组存储组件中的其中一组存储器件执行编程操作，且控制另一组存储器件执行擦除操作；或者，所述编程电压切换组件用于根据所述读写参考信号输出所述存储控制信号，以控制所述两组存储组件输出所述存储的数据。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述读出电路包括：读出信号产生组件和数据读出组件；

所述读出信号产生组件的输入端接收所述读写信号，所述读出信号产生组件用于根据所述读写信号产生读出信号；

所述数据读出组件的控制端与所述读出信号产生组件连接，接收所述读出信号，所述数据读出组件用于根据所述读出信号将所述差分存储电路中存储的数据读出。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述读写逻辑控制组件包括：第一与非门和第二与非门；

所述第一与非门的第一输入端用于接收所述待存储数据，第二输入端用于接收所述读写信号，输出端与所述第二与非门的第一输入端连接，所述第二与非门的第二输入端用于接收所述读写信号，所述第一与非门的输出端和所述第二与非门的输出端用于输出所述读写参考信号。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储单元，其特征在于，所述编程电压切换组件包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管，所述第一场效应管和第二场效应管为n沟道场效应管，所述第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管为p沟道场效应管；

所述第一场效应管的控制端与所述第一与非门的输出端连接，所述第一场效应管的第一数据端接地，所述第一场效应管的第二数据端与所述第三场效应管的第一数据端连接；

所述第二场效应管的控制端与所述第二与非门的输出端连接，所述第二场效应管的第一数据端接地，所述第二场效应管的第二数据端与所述第四场效应管的第一数据端连接；

所述第三场效应管的控制端与所述第四场效应管的第一数据端连接，所述第三场效应管的第二数据端与所述第五场效应管的第一数据端连接；

所述第四场效应管的控制端与所述第三场效应管的第一数据端连接，所述第四场效应管的第二数据端与所述第五场效应管的第一数据端连接；

所述第五场效应管的控制端用于接收器件电压，所述第五场效应管的第二数据端用于接收所述输入电压；

所述第三场效应管的第一数据端和所述第四场效应管的第一数据端用于输出存储控制信号。