[发明专利]固体摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：

光电变换层，设于半导体基板的背面侧；

电荷蓄积层，设于所述半导体基板的表面侧，蓄积由所述光电变换层进行光电变换而得到的电荷；以及

聚光部，使向所述半导体基板的背面侧入射的光不入射至所述电荷蓄积层而聚光至所述光电变换层；

将所述电荷蓄积层的中心位置与所述聚光部的中心位置错开配置。

2.如权利要求1记载的固体摄像装置，其特征在于，

所述电荷蓄积层是二极管构造。

3.如权利要求1记载的固体摄像装置，其特征在于，

所述电荷蓄积层是CCD构造。

4.如权利要求1记载的固体摄像装置，其特征在于，

所述聚光部是配置在所述光电变换层上的微透镜。

5.如权利要求1记载的固体摄像装置，其特征在于，

所述光电变换层与所述电荷蓄积层配置为至少一部分重叠。

6.如权利要求1记载的固体摄像装置，其特征在于，

同时开始全部像素的所述光电变换层的电荷蓄积动作，同时从全部像素的所述光电变换层向所述电荷蓄积层读出电荷。

7.如权利要求1记载的固体摄像装置，其特征在于，具备：

全局复位晶体管，将全部像素的所述光电变换层同时复位；

全局读出晶体管，从全部像素的所述光电变换层向所述电荷蓄积层同时传送电荷；

读出晶体管，按每个所述像素将被传送至所述电荷蓄积层的电荷读出至浮动扩散区；

检测晶体管，检测被读出至所述浮动扩散区的电荷；以及

复位晶体管，将所述浮动扩散区复位。

8.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：

光电变换层，设于半导体基板的背面侧，杂质浓度被阶段性地设定为从所述半导体基板的背面侧向表面侧形成电势梯度；以及

电荷蓄积层，设于所述半导体基板的表面侧，蓄积由所述光电变换层进行光电变换而得到的电荷。

9.如权利要求8记载的固体摄像装置，其特征在于，

所述光电变换层与所述电荷蓄积层配置为至少一部分重叠。

10.如权利要求8记载的固体摄像装置，其特征在于，

同时开始全部像素的所述光电变换层的电荷蓄积动作，同时从全部像素的所述光电变换层向所述电荷蓄积层读出电荷。

11.如权利要求8记载的固体摄像装置，其特征在于，具备：

全局复位晶体管，将全部像素的所述光电变换层同时复位；

全局读出晶体管，从全部像素的所述光电变换层向所述电荷蓄积层同时传送电荷；

读出晶体管，按每个所述像素将被传送至所述电荷蓄积层的电荷读出至浮动扩散区；

检测晶体管，检测被读出至所述浮动扩散区的电荷；以及

复位晶体管，将所述浮动扩散区复位。

12.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：

光电变换层，设于半导体基板的背面侧；

电荷蓄积层，设于所述半导体基板的表面侧，蓄积由所述光电变换层进行光电变换而得到的电荷；

遮光层，进行遮光以使向所述半导体基板的背面侧入射的光不入射至所述电荷蓄积层；

透明层，设在所述遮光层上；以及

聚光部，设在所述透明层上，将向所述半导体基板的背面侧入射的光聚光至所述光电变换层。

13.如权利要求12记载的固体摄像装置，其特征在于，

所述光电变换层与所述电荷蓄积层配置为至少一部分重叠。

14.如权利要求12记载的固体摄像装置，其特征在于，

同时开始全部像素的所述光电变换层的电荷蓄积动作，同时从全部像素的所述光电变换层向所述电荷蓄积层读出电荷。