[发明专利]LED模组及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种LED模组及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种能够将电能转化为光的固态的半导体器件，其被广泛应用于显示屏、交通讯号、显示光源、汽车用灯、LED背光源及照明光源等领域。

然而，目前的LED模组结构热阻大，散热性能差，影响了产品的发光性能和使用寿命短。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种热阻小，散热性能好的LED模组。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提出了一种LED模组的制造方法，包括：倒装步骤：将LED芯片采用共晶焊倒装焊接于高导热陶瓷基板的金属片上，多个LED芯片以预定间隔、预定朝向均匀排列。具体地，采用陶瓷COB(Chip On Board)封装技术，具备金属线路精准、结构系统稳定等特性，适用于高功率、小尺寸及高亮度的LED模组，更适用于共晶／覆晶封装制程对陶瓷基板金属线路分辨率与精确度的严苛要求；采用共晶焊技术，熔点温度低，且无需焊线，可实现超薄封装，制程简单，成本低廉；LED模组具有优异的力、热、光及电性能。

压注步骤：在所述 LED 芯片外围压注围坝。

涂覆步骤：将配置好的荧光胶涂覆于围坝内以形成荧光胶层，具体地，采用平面涂覆的方式，光色均匀。及

成型步骤：在所述围坝外压注形成光学结构层。

进一步地，倒装步骤中还包括：

助焊子步骤：在高导热陶瓷基板的金属片表面涂覆助焊剂，将LED芯片粘附于涂覆有助焊剂的金属片上，其中，使用助焊剂是把LED芯片预固定在所述基板上，作用相当于一层固晶胶，具有定位作用；及

焊接子步骤：将粘附有LED芯片的高导热陶瓷基板通过预定温度的回流炉进行回流。其中，回流炉是通过焊接的方式把LED芯片进一步牢牢固定。

进一步地，所述预定温度为100摄氏度至360摄氏度。

进一步地，所述LED 芯片有多个，以多个LED芯片为单位在外围压注围坝。

进一步地，采用硅胶制成围坝和光学结构层。

相应地，本发明实施例还提供了一种LED模组，包括:

高导热陶瓷基板；

倒装在所述基板上的LED芯片；

在所述LED 芯片外围压注形成的围坝；

由涂覆于到所述围坝中的荧光胶形成的荧光胶层；及

包覆于荧光胶层上的光学结构层。

进一步地，所述LED 芯片有多个，围坝压注形成于多个LED芯片外围。多颗LED芯片集成封装有助于缩小光源面积、缩减材料、系统成本，进而可简化光源系二次光学设计并节省组装人力成本，且促使产品体积更加轻薄短小。作为一种实施方式，也可采用单芯片的形式。

进一步地，所述光学结构层的形状为半球形、方形、椭圆形、菲涅耳形、圆锥形或正六边形。

进一步地，LED芯片的P/N电极焊接于所述基板的金属片。

进一步地，所述P电极和N电极之间设有绝缘带。

本发明实施例的LED模组及其制造方法的有益效果是：通过采用LED芯片通过共晶焊倒装焊接在高导热陶瓷基板上的技术手段，从而达到了热阻小，散热性能强，产品的发光性能好且使用寿命长的技术效果。

附图说明

图1是本发明实施例的LED模组的结构示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。

请参考图1，本发明实施例提供一种LED模组及其制造方法，所述LED模组，包括高导热陶瓷基板10、LED芯片20、围坝30、荧光胶层40及光学结构层50。

LED芯片20共晶焊倒装焊接在所述基板10上。LED芯片20的P/N电极焊接于所述基板10的金属片，具体地，所述P电极和N电极之间设有绝缘带。

围坝30压注形成在所述LED 芯片外围。优选地，所述LED 芯片有多个，围坝30压注形成于多个LED芯片20外围。

荧光胶层40由涂覆于到所述围坝30中的荧光胶形成。

光学结构层50包覆于荧光胶层40、基板10上。优选地，所述光学结构层50的形状为半球形、方形、椭圆形、菲涅耳形、圆锥形或正六边形。

本发明实施例的LED模组制造方法，包括倒装步骤、压注步骤、涂覆步骤及成型步骤。