[发明专利]CMOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310321143.8 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103390587B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张瑛;莘海维;林伟铭;李佳佳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底的内部形成有P阱和N阱，所述衬底的表面形成有多晶硅栅极；
通过第一掩模版对所述衬底执行NMOS核心器件的光刻；
执行NMOS核心器件的LDD离子注入；
通过第二掩模版对所述衬底执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的光刻；
执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的LDD离子注入；
执行NMOS核心器件和NMOS输入输出器件的N+源漏注入；
执行PMOS核心器件和PMOS输入输出器件的P+源漏注入。
2.如权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，在N+源漏注入之前，在PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的LDD离子注入之后，还包括：通过第三掩模版对所述衬底执行NMOS核心器件和NMOS输入输出器件的N＋源漏光刻。
3.如权利要求2所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，在N+源漏光刻之前，在PMOS核心器件的LDD离子注入和NMOS输入输出器件的LDD离子注入之后，还包括：在所述多晶硅栅极的两侧形成侧墙。
4.如权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，在P+源漏注入之前，在N+源漏注入之后，还包括：通过第四掩模版对所述衬底执行PMOS核心器件和PMOS输入输出器件的P+源漏光刻。
5.如权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的LDD注入包括砷离子注入和氟化硼离子注入；
所述砷离子注入采用斜向环状注入工艺，所述氟化硼离子注入采用垂直注入工艺。
6.如权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述N+源漏注入包括第一次磷离子注入、第二次磷离子注入和砷离子注入；
其中，所述第一次磷离子注入采用斜向环状注入工艺，所述第二次磷离子注入和砷离子注入采用垂直注入工艺。
7.如权利要求5或6所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述斜向环状注入工艺中离子注入的方向相对于所述衬底的表面是斜向的。
8.如权利要求7所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述斜向环状注入工艺中离子注入的方向与所述衬底的表面的夹角范围在10°到45°之间。
9.如权利要求7所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述斜向环状注入工艺中离子注入的方向与所述衬底的表面呈30°夹角。
10.如权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述P+源漏注入的离子是硼离子，所述硼离子注入采用垂直注入工艺。
11.如权利要求5、6或10所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述垂直注入工艺中离子注入的方向相对于所述衬底的表面是垂直的。
12.如权利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述NMOS核心器件和PMOS核心器件是所述CMOS器件中工作电压最小的器件；
其中，NMOS核心器件的工作电压在1.0V到1.8V之间，PMOS核心器件的工作电压在-1.0V～-1.8V之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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