[发明专利]掩模版固定装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻领域，尤其涉及一种掩模版固定装置及方法。

背景技术

现有技术中的光刻装置，主要用于集成电路IC或平板显示领域以及其它微型器件的制造。通过光刻装置，具有不同掩模图案的多层掩模在精确对准下依次成像在涂覆有光刻胶的晶片上，例如半导体晶片或LCD板。光刻装置大体上分为两类，一类是步进光刻装置，掩模图案一次曝光成像在晶片的一个曝光区域，随后晶片相对于掩模移动，将下一个曝光区域移动到掩模图案和投影物镜下方，再一次将掩模图案曝光在晶片的另一曝光区域，重复这一过程直到晶片上所有曝光区域都拥有掩模图案的像。另一类是步进扫描光刻装置，在上述过程中，掩模图案不是一次曝光成像，而是通过投影光场的扫描移动成像。在掩模图案成像过程中，掩模与晶片同时相对于投影系统和投影光束移动。在上述的光刻设备中，需具有相应的装置作为掩模版和硅片的载体，装载有掩模版/硅片的载体产生精确的相互运动来满足光刻需要。上述掩模版的载体被称之为承版台，硅片/基板的载体被称之为承片台。

在光刻装置中，掩模版一般通过真空吸附的方式固定在掩模台的承版台上的。由于真空吸附力的存在，会导致掩模版在固定过程中产生变形，而该掩模版的吸附变形会直接影响光刻机的overlay和focus误差，为此，业界一直在寻求各种技术来解决掩模版的夹持变形问题。如：荷兰ASML公司在美国专利US6480260中，请参阅图5，提出一种通过在承版台与掩模版之间增加薄膜14，通过薄膜的变形来降低掩模版10的吸附变形量。

上述专利能很好的解决掩模版在吸附过程中产生的变形问题，从而降低掩模版的吸附变形产生的overlay和focus误差，提高曝光质量。

但上述专利并未解决业界存在的另外一个亟待解决的问题：在上下版时，承版台释放真空，由于掩模版与承版台之间的接触面非常平滑平整，吸附掩模版的真空难以完全释放，会存在残留。另外，掩模版与承版台之间还存在范德华力，导致承版台与掩模版之间存在摩擦力。该摩擦力会影响掩模版的上下版，甚至会增加掩模版或者承版台在上下版时损坏的风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩模版固定装置及方法，可以使得在上下版时，掩模版和承版台之间的真空得到完全释放，减小掩模版与承版台之间的摩擦力，提高掩模版和承版台在上下版时的安全性。

为了达到上述的目的，本发明采用如下技术方案：

一种掩模版固定装置，包括具有若干凸台的承版台、若干刚性柱以及若干柔性装置，每个凸台具有一真空腔，所述真空腔内设有所述刚性柱和柔性装置，所述刚性柱的上表面和所述凸台的掩模吸附面共面，在真空开启前，所述柔性装置的上表面处于比所述掩模吸附面高的放松状态，在真空开启后，所述柔性装置的上表面受到掩模版的挤压压缩至所述掩模吸附面的高度。

可选的，在真空开启前，所述掩模版的下表面与掩模吸附面存在Δ值为5um-20um的高度差。

可选的，所述承版台上设有与所述真空腔相连通的通道。

可选的，所述柔性装置是一体式软弹性材料零件。

可选的，所述柔性装置通过粘接方式固定于真空腔内。

可选的，所述刚性柱和承版台一体成型。

可选的，所述柔性装置包括刚性销和柔性垫，所述柔性垫形成于所述刚性销的顶部。

可选的，所述刚性销、刚性柱以及承版台一体成型。

可选的，所述柔性装置是呈线型的柔性壁。

可选的，所述柔性装置是呈“S”型的柔性壁。

可选的，所述柔性壁和所述承版台的材料相同。

可选的，所述柔性壁的厚度为0.1mm-0.6mm.

可选的，所述刚性柱和柔性装置间隔分布。

本发明还公开了一种掩模版固定方法，采用如上所述的掩模版固定装置，包括如下步骤：

当进行上版时，掩模固定装置的真空开启，掩模版与承版台之间的真空建立，柔性装置受到掩模版的挤压发生弹性变形，直至掩模版与掩模吸附面完全接触；

当进行下版时，掩模固定装置的真空关闭，原已经发生弹性变形的柔性装置释放变形，将掩模版推顶至真空开启前的高度位置即掩模版的下表面与掩模吸附面存在Δ值的高度差，掩模版与承版台之间的真空得到快速而有效的释放，直至掩模版只与柔性装置存在接触面，从而可以有效降低承版台与掩模版之间的摩擦力，提高掩模版和承版台在上下版时的安全性。