[发明专利]非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201310321483.0 | 申请日： | 2013-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN104347400A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王根毅;邓小社;钟圣荣;周东飞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非穿通型 绝缘 双极晶体管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括如下步骤：
在硅片正面形成绝缘栅双极晶体管结构至积淀完层间介质；
在所述层间介质上覆盖保护膜；
自所述硅片背面开始将所述硅片进行减薄处理，并在减薄后的硅片背面形成P型层；
去掉所述保护膜，并对所述硅片进行退火处理；其中退火温度大于500摄氏度；
在所述P型层和层间介质表面形成金属层。
2.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述保护膜是蓝膜。
3.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述P型层采用离子注入方式形成。
4.根据权利要求3所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，注入离子为硼。
5.根据权利要求3所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述离子注入采用正面注入机台处理。
6.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述退火温度大于800摄氏度。
7.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述减薄处理将硅片减薄至300～500微米。
8.根据权利要求1所述的非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，所述减薄处理采用化学机械研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
