[发明专利]一种粒径均匀的单分散二氧化硅颗粒的制备方法无效
申请号: | 201310321916.2 | 申请日: | 2013-07-29 |
公开(公告)号: | CN103395794A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 瞿其曙;王娟 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18;B01J20/10 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 粒径 均匀 分散 二氧化硅 颗粒 制备 方法 | ||
1.一种粒径均匀的单分散二氧化硅颗粒的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)在温度≤0℃的环境温度下,先将聚乙二醇、尿素和醋酸水溶液搅拌混合后,再混入四甲氧基硅烷,在冰水浴的条件下,超声处理10 min后取得混合溶胶;
2)将混合溶胶注入模具凝胶老化;
3)将老化后的制品连同模具置于120℃的鼓风干燥箱中烘干;
4)将从模具中取出的二氧化硅整体柱进行锻烧;
5)将硅胶整体柱进行研磨,即得粒径均匀的单分散二氧化硅颗粒。
2.根据权利要求1所述粒径均匀的单分散二氧化硅颗粒的制备方法,其特征在于所述聚乙二醇、尿素、醋酸水溶液和四甲氧基硅烷的投料质量比为100︰90~92︰72~76︰600~650;所述醋酸水溶液中醋酸的质量分数为0.6%。
3.根据权利要求1所述粒径均匀的单分散二氧化硅颗粒的制备方法,其特征在于在鼓风干燥箱中处理3 小时。
4.根据权利要求1所述粒径均匀的单分散二氧化硅颗粒的制备方法,其特征在于所述锻烧的温度为600℃,锻烧时间为6小时。
5.根据权利要求1或2或3或4所述粒径均匀的单分散二氧化硅颗粒的制备方法,其特征在于步骤5)即得的粒径均匀的单分散二氧化硅颗粒与甲苯、3-氨丙基三乙氧基硅烷混合后升温至回流,将回流液以甲苯或乙醇清洗后取固相,于40~60℃下干燥,取得键合氨基的二氧化硅颗粒。
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