[发明专利]用于温度稳定化的方法、X射线辐射探测器和CT系统

权利要求书

1.一种用于特别是在CT系统（C1）中使用的直接转换的X射线辐射探测器（C3,C5）的温度稳定化的方法，该直接转换的X射线辐射探测器具有探测器表面，所述探测器表面具有半导体（1）并且被划分为多个探测器子表面，其中在照射所述探测器表面时在半导体（1）中通过电功率而产生热，

其特征在于，

至少在探测器表面的照射不均匀和/或在时间上变化期间，通过引入与每个探测器子表面功率匹配的附加辐射，使得在半导体（1）中每个探测器子表面所产生的电功率保持恒定。

2.根据上述权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述探测器子表面的测量的温度进行所述附加辐射的功率匹配。

3.根据上述权利要求2所述的方法，其特征在于，借助无接触的温度测量测量所述探测器子表面的温度。

4.根据上述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，根据对每个探测器子表面测量的X射线流进行所述附加辐射的功率匹配。

5.根据上述权利要求4所述的方法，其特征在于，从所述X射线辐射探测器的探测器测量值本身中导出X射线流。

6.根据上述权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，根据对每个探测器子表面所测量的半导体（1）中的电流（I）进行所述附加辐射的功率匹配。

7.根据上述权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，通过改变所述附加照射的强度进行所述附加辐射的功率匹配。

8.根据上述权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，通过改变所述附加照射的脉冲持续时间和/或脉冲间隔进行所述附加辐射的功率匹配。

9.根据上述权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，在使用所述X射线辐射探测器进行测量之前，在预定的时间段内引入所述附加辐射，并且在所述半导体（1）上施加电压。

10.根据上述权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，使用探测器元件的预定义的组作为探测器子表面。

11.根据上述权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，使用探测器元件作为探测器子表面。

12.根据上述权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，使用探测器模块作为探测器子表面。

13.一种特别是在CT系统（C1）中使用的用于按照前面描述的权利要求1至12之一的方法探测X射线辐射的直接转换的X射线辐射探测器（C3,C5），至少具有：

13.1.为了探测X射线辐射而使用的探测器表面，所述探测器表面具有半导体（1）并且被划分为多个探测器子表面，其中在照射所述探测器表面的情况下在半导体（1）中通过电功率产生热，和

13.2.对每个探测器子表面有至少一个附加的辐射源（3），所述辐射源利用附加辐射照射半导体（1），

其特征在于，

13.3.至少一个具有至少一个指令参数的调节回路被构造用于所述附加辐射的功率调节，其对每个探测器子表面通过借助所述附加辐射的功率变化来保持半导体（1）中的电功率恒定而保持半导体（1）中的温度恒定。

14.根据上述权利要求13所述的X射线辐射探测器（C3,C5），其特征在于，

对每个探测器子表面，所述至少一个调节回路包括至少一个温度测量单元（5），用于作为指令参数来测量半导体（1）的温度。

15.根据上述权利要求13和14中任一项所述的X射线辐射探测器（C3,C5），其特征在于，

对每个探测器子表面，所述至少一个调节回路具有至所述X射线辐射探测器（C3,C5）的测量单元（4）的连接，其中，在各自的探测器子表面中所测量的X射线流被作为指令参数使用。

16.根据上述权利要求13至15中任一项所述的X射线辐射探测器（C3,C5），其特征在于，对每个探测器子表面，所述至少一个调节回路包括至少一个电流测量单元（7），用于作为指令参数来测量半导体（1）中所产生的电流（I）。

17.根据上述权利要求13至16中任一项所述的X射线辐射探测器（C3,C5），其特征在于，所述探测器子表面被构造为探测器元件的预定义的组。