[发明专利]一种共轭聚合物半导体材料、制备方法及应用无效
申请号: | 201310322612.8 | 申请日: | 2013-07-29 |
公开(公告)号: | CN103467710A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 袁建宇;马万里 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C08G61/10;H01L51/46 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 共轭 聚合物 半导体材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种共轭聚合物半导体材料,其特征在于它的结构式为:
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其中,Ar1和Ar2独立地代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种:亚乙烯基、亚乙炔基、单环亚芳基、双环亚芳基、含至少三个环的多环亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基和含至少三个环的多环杂亚芳基;所述的双环亚芳基、多环亚芳基、双环杂亚芳基、多环杂亚芳基中,环与环之间为稠合或通过单键连接;
R1,R2独立地代表下述基团中的任意一种:氢、具有1~30个碳原子的烷基、具有1~30个碳原子的烷氧基;
n代表聚合物的重复单元个数,为5~500的自然数。
2.根据权利要求1所述的一种共轭聚合物半导体材料,其特征在于:所述的单环亚芳基包括如下单元中的一种:
。
3.根据权利要求1所述的一种共轭聚合物半导体材料,其特征在于:所述的双环亚芳基包括如下单元中的一种:
。
4.根据权利要求1所述的一种共轭聚合物半导体材料,其特征在于:所述的多环亚芳基包括如下单元中的一种:
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5.一种如权利要求1所述的共轭聚合物半导体材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)按摩尔比1:1.5~1:2.5,将具有1~30个碳原子的烷基对甲苯磺酸或具有1~30个碳原子的烷氧基对甲苯磺酸,与单体Ar1或Ar2反应,把含有氧原子的侧链引入到共轭单体中,得到改性后的单体Ar1或Ar2;
(2)按摩尔比1:1,将改性后的单体Ar1或Ar2,与单体A或单体B在零价钯为催化剂,卤代苯为溶剂,加热回流条件下,通过Stille偶联的聚合方法,得到一种共轭聚合物半导体材料;所述的单体A为单体Ar1或Ar2,单体B为改性后的单体Ar1或Ar2;
所述的单体Ar1和Ar2独立的代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种:亚乙烯基、亚乙炔基、单环亚芳基、双环亚芳基、含至少三个环的多环亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基和含至少三个环的多环杂亚芳基;所述的双环亚芳基、多环亚芳基、双环杂亚芳基、多环杂亚芳基中,环与环之间为稠合或通过单键连接。
6.一种如权利要求1所述的共轭聚合物半导体材料的制备方法,其特征在于:所述的具有1~30个碳原子的烷氧基对甲苯磺酸为[2-[2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]乙氧基]对甲苯磺酸。
7.如权利要求1所述的一种共轭聚合物半导体材料的应用,其特征在于:将共轭聚合物半导体材料与富勒烯衍生物按重量比1:1~1:2共混溶解后,采用溶液旋涂方法得到聚合物/富勒烯衍生物两相分离的薄膜,用作体相异质节聚合物太阳能电池中的光敏层材料。
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