[发明专利]多晶硅铸锭的方法

权利要求书

1.一种多晶硅铸锭的方法，其特征在于，包括：

在坩埚的底部形成第一预设厚度的涂层，所述涂层中含有固体颗粒物，所述固体颗粒物为石英砂、氮化硅粉、碳化硅粉中的至少一种，并在所述坩埚的底部和内侧壁上喷涂氮化硅；

在所述坩埚的底部铺设第二预设厚度的碎硅片，所述碎硅片的形状和尺寸不完全相同且布满所述坩埚的底部，然后将硅料装入所述坩埚内，所述硅料压迫所述碎硅片，在所述涂层上形成凹痕；

整体加热所述坩埚，直至所述碎硅片和所述硅料全部熔化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设厚度的范围为1mm～5mm，包括端点值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在坩埚的底部形成第一预设厚度的涂层具体包括：

将所述固体颗粒物融入硅溶胶内形成涂覆液；

将所述涂覆液涂覆至所述坩埚的底部，形成所述第一预设厚度的涂层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述固体颗粒物的粒径小于或等于150μm。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述固体颗粒物的重量与所述硅溶胶的重量的比例范围为1:10～1:1，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二预设厚度的范围为3mm～30mm，包括端点值。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述碎硅片的尺寸的范围为2mm×2mm～20mm×20mm，包括端点值。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述坩埚的底部铺设第二预设厚度的碎硅片，所述碎硅片的形状和尺寸不完全相同且布满所述坩埚的底部，与所述然后将硅料装入所述坩埚内之间还包括：在铺设完所述碎硅片的坩埚的底部铺放碎硅块，使所述碎硅块布满所述坩埚的底部。