[发明专利]去除接触窗底部自然氧化层的方法

权利要求书

1.一种去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于，所述去除接触窗底部自然氧化层的方法至少包括以下步骤：

1）提供一Si衬底，所述Si衬底上形成有具有侧壁层的栅极，所述具有侧壁层的栅极两侧的Si衬底中分别形成有源极和漏极；

2）在步骤1）获得的结构上形成二氧化硅层间介质层，并在所述源极和漏极上方的二氧化硅层间介质层中形成接触窗，所述接触窗底部到达所述源极和漏极上表面，使得所述源极和漏极上表面暴露于空气中，从而在所述源极和漏极上表面形成自然氧化层；

3）采用Ar等离子体去除所述接触窗底部暴露的源极和漏极上表面的部分自然氧化层；

4）采用SiCoNi法去除所述接触窗底部暴露的源极和漏极上表面剩余的自然氧化层。

2.根据权利要求1所述的去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于：于所述步骤3）中，采用射频电源产生并维持Ar等离子体，所述射频电源的功率范围是150～500瓦，所述Ar等离子体的作用时间是3～10s。

3.根据权利要求1所述的去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于：于所述步骤3）中，所述Ar等离子体垂直轰击所述自然氧化层。

4.根据权利要求1所述的去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于：于所述步骤4）中，所述SiCoNi法的作用时间是2～15s。

5.根据权利要求1所述的去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于：所述Si衬底中形成有浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离上方的二氧化硅层间介质层中形成有假栅极。

6.根据权利要求1所述的去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于：所述侧壁层的材料包括二氧化硅和/或氮化硅。

7.根据权利要求1所述的去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于：于所述步骤4）之后还包括在所述接触窗底部暴露的源极和漏极上方形成金属硅化物的步骤。

8.根据权利要求8所述的去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于：所述金属硅化物中的金属包括Ti、Co、W、Ta、Mo、Pt或Ni中的一种或多种。