[发明专利]显示面板制作方法有效
| 申请号： | 201310323704.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347496B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 施博理 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 孔丽霞 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示面板制作方法。
背景技术
现有液晶显示面板为了防止在制作过程中薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)的沟道层被蚀刻，通常会在沟道层上形成一蚀刻阻挡层。然而，形成所述蚀刻阻挡层需要额外增加光罩并精确对准所述光罩与沟道层，从而会提高制程难度，增加制程成本。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种无需增加额外光罩以形成蚀刻阻挡层的显示面板制作方法。
一种显示面板制作方法，其包括如下步骤：
提供一基板，所述基板包括沿厚度方向依次平行设置的第一表面及第二表面；
在所述基板的第一表面上形成沿第一方向延伸的栅极；
在所述基板的第一表面上依次形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层、半导体层及蚀刻阻挡层；
在蚀刻阻挡层上形成覆盖所述蚀刻阻挡层的光阻层；
采用黄光配合光罩从基板的第一表面侧将所述光阻层图案化为第一光阻图案；
以栅极做为光罩从基板的第二表面侧将第一光阻图案再次图案化为比第一光阻图案小的第二光阻图案；
采用干蚀刻法将蚀刻阻挡层蚀刻成比第二光阻图案小的蚀刻阻挡图案；
去除干蚀刻后剩余的光阻图案，重新形成覆盖所述蚀刻阻挡图案及半导体层的光阻层;
再次采用黄光配合光罩从基板的第一表面侧将所述光阻层图案化为第一光阻图案;
以栅极做为光罩从基板的第二表面侧将第一光阻图案再次图案化为比第一光阻图案小的第二光阻图案；
采用湿蚀刻法将半导体层蚀刻成与第二光阻图案对应的半导体图案；
去除湿蚀刻后剩余的光阻图案；
在关于栅极对称的相对两侧分别形成依次部分覆盖蚀刻阻挡层、半导体层及栅极绝缘层的源极与漏极。
相对于现有技术，本发明采用分别从基板的相对两侧进行曝光显影光刻并借助栅极做为光罩辅助定义半导体图案及蚀刻阻挡图案的方法，可以在不增加光罩的基础上在半导体图案上形成蚀刻阻挡图案。而且，因背面曝光以栅极为光罩，加上干蚀刻的蚀刻速率较低，可以精确控制由干蚀刻形成的蚀刻阻挡图案的尺寸，从而提高了TFT的质量。
附图说明
图1为本发明实施方式所提供的显示面板的结构示意图。
图2为本发明实施方式所提供的显示面板制作方法的步骤流程图。
图3至图13为图2中各步骤中的显示面板结构示意图。
主要元件符号说明
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
