[发明专利]一种浅沟槽隔离的制造方法在审
| 申请号： | 201310323980.4 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347472A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 范建国;沈建飞;季峰强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层和氮化层；
在所述半导体衬底上刻蚀出沟槽；
在所述沟槽的侧壁上进行掺氮工艺；
对所述氮化层进行第一次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的氮化层；
对所述垫氧化层进行第一次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的垫氧化层；
在所述沟槽中形成线形氧化层；
对所述氮化层进行第二次回蚀工艺，去除部分沟槽附近的氮化层；
沉积介质层填充所述沟槽。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，利用离子注入工艺对沟槽的侧壁进行掺氮工艺。
3.如权利要求2所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，所述离子注入工艺掺杂离子能量为10～15Kev，剂量为9×1013～5×1014。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，对所述氮化层进行第一次回蚀工艺使用的刻蚀液为磷酸。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，对所述垫氧化层进行第一次回蚀工艺和第二次回蚀工艺使用的刻蚀液为氢氟酸。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，所述垫氧化层的厚度为
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，在形成线形氧化层之后，对所述氮化层进行第二次回蚀工艺之前，还包括利用氢氟酸进行一次回蚀工艺，用以去除在沟槽形成线形氧化层的工艺中额外在氮化层上形成的氧化层。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，利用高密度等离子体淀积工艺填充所述沟槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
