[发明专利]掩膜版及其制造方法在审
| 申请号： | 201310324010.6 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104345545A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 金普楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 及其 制造 方法 | ||
1.一种掩膜版，包括：第一相移层，本体及第二相移层；
其中，所述第一相移层和第二相移层分列于所述本体的两侧，且所述第一相移层和第二相移层的图形的形状和位置具有小于等于5%的误差。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一相移层和第二相移层具有相同的图形，且相对于所述本体对称分布。
3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述本体的材料为石英。
4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一相移层和第二相移层的材料相同。
5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一相移层和第二相移层的材料为硅化钼。
6.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：
提供一本体；
在所述本体的一侧形成第一相移层，并进行图案化处理；
反转所述本体，在所述本体的另一侧形成第二相移层，并进行图案化处理；
其中，对所述第一相移层和第二相移层的图案化处理在形状和位置上具有小于等于5%的误差。
7.如权利要求6所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，所述对第一相移层和第二相移层进行的图案化处理相同。
8.如权利要求6所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，所述本体的材料为石英，所述第一相移层和第二相移层的材料为硅化钼。
9.如权利要求6所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，在形成第一相移层之前，及形成第一相移层之后形成第二相移层之前，分别包括：清洗所述掩膜版。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
