[发明专利]用来减少角落接口的接口材料的可湿性的方法及相关装置

权利要求书

1.一种方法，包含：

在基底的介电层中形成凹部；

在该凹部的角落部分上的该凹部中形成第一转换金属层；

在该凹部中形成第二转换金属层在该第一转换金属层上方，以作为该凹部的衬里；

以填充层填充该凹部；

退火该基底，其中，该第一转换金属层和该第二转换金属层在该退火期间，形成靠近该角落部分的合金部分，其中，该合金部分对于该填充层的材料具有较该第二转换金属层减少的可湿性；以及

研磨该基底，以移除该填充层在该凹部上方所延伸的部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该填充层包含铜。

3.如权利要求1所述的方法，其中，填充该凹部包含在该第二转换金属层上方形成晶种层及在该晶种层上方形成该填充层的材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该第二转换金属层包含钌。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该第一转换金属层包含钛。

6.如权利要求1所述的方法，其中，研磨该晶圆包含在该填充层与靠近该角落部分的该合金部分之间形成凹部。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该第一转换金属层实质上不在该凹部的侧壁和底部分。

8.如权利要求1所述的方法，还包含在形成该第一转换金属层前，在该凹部中形成阻障层。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该阻障层包含氮化钽。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该凹部包含沟槽。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该凹部包含通孔开口。

12.一种方法，包含：

在基底的介电层中形成凹部；

在该凹部的角落部分上的该凹部中形成钛层；

在该钛层上方形成钌层，以作为该凹部的衬里；

以铜填充该凹部；

退火该基底，其中，该钛层和该钌层在该退火期间，形成靠近该角落部分的合金部分；以及

研磨该基底，以移除该铜在该凹部上方延伸的部分。

13.如权利要求12所述的方法，还包含在形成该钛层前，在该凹部中形成阻障层。

14.一种半导体装置，包含：

凹部，具有定义在介电层中的角落部分；

互连结构，定义在该凹部中，该互连结构包含：

第一和第二转换金属的合金，设置在该角落部分上；

一层该第二转换金属，作为该凹部的侧壁部分的衬里；以及

填充材料，实质地填充该凹部，其中，该第二转换金属对于该填充材料具有较该合金高的可湿性。

15.如权利要求14所述的装置，还包含阻障层，设置在该合金层和该层该第二转换金属下方的该凹部中。

16.如权利要求14所述的装置，其中，该第二转换金属包含钌。

17.如权利要求16所述的装置，其中，该第一转换金属包含钛。

18.一种半导体装置，包含：

凹部，具有定义在介电层中的角落部分；

互连结构，定义在该凹部中，该互连结构包含：

钛和钌的合金，设置在该角落部分上；

钌层，作为该凹部的侧壁部分的衬里；以及

铜，实质地填充该凹部。

19.如权利要求18所述的装置，还包含阻障层，设置在该合金和该钌层下方的该凹部中。

20.如权利要求19所述的装置，其中，该阻障层包含氮化钽。