[发明专利]具有双连接结构的液晶显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310325584.5 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN103869561A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 朴济炯;郑泰容 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 具有 双连 结构 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造具有双连接结构的液晶显示(LCD)装置的方法,包括:

制备第一基板,所述第一基板包括像素区域和非像素区域,所述像素区域包括开关单元,所述非像素区域包括连接部分并且围绕所述像素区域;

在所述第一基板上的所述开关单元中形成栅极,并且在所述连接部分中形成第一连接线;

形成覆盖所述第一基板的第一绝缘层;

在所述第一绝缘层上依次形成有源层、欧姆接触层以及源极金属层;

在一个掩模工艺中对所述有源层、所述欧姆接触层以及所述源极金属层进行构图,以形成数据线、从所述数据线分支的沟道图案、以及第二连接线,所述沟道图案和所述第二连接线被形成在所述开关单元中;

在所述第一基板上形成第二绝缘层,以覆盖所述沟道图案和所述第二连接线;

从所述沟道图案和所述连接部分上移除所述第二绝缘层;

在位于所述沟道图案和所述连接部分上的所述第二绝缘层已经被移除的所述第一基板上,形成透明电极层;

在所述透明电极层上形成光刻胶图案,用于在所述栅极上限定沟道;以及

通过使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模,从所述沟道上依次移除所述透明电极层、所述源极金属层以及所述欧姆接触层,以限定所述沟道,并且形成像素电极。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在所述第二绝缘层上形成光敏有机保护层;

对所述光敏有机保护层进行构图,以暴露出所述沟道图案和所述连接部分;以及

通过使用所述光敏有机保护层作为蚀刻掩模,从所述沟道图案和所述连接部分上移除所述第二绝缘层。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述移除第二绝缘层的步骤包括:

在所述第二绝缘层上形成光刻胶图案,以暴露出所述沟道图案和所述连接部分;

通过使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模,对在所述沟道图案和所述连接部分上的所述第二绝缘层的已暴露的部分进行蚀刻;以及

移除所述光刻胶图案。

4.根据权利要求1所述的方法,其中在所述形成光刻胶图案的步骤中,所述光刻胶图案还保留在所述第二连接线上。

5.根据权利要求4所述的方法,其中保留在所述第二连接线上的所述光刻胶图案具有比所述第二连接线的线宽更窄的宽度。

6.根据权利要求1所述的方法,其中在所述形成数据线、沟道图案以及第二连接线的步骤中,所述第二连接线还形成在所述连接部分中。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一连接线和所述第二连接线被交替地设置成多条。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一连接线和栅极线形成在同一层上。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二连接线和所述数据线形成在同一层上。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一连接线和所述第二连接线中的每条线包括栅极连接线和数据连接线。

11.根据权利要求1所述方法,其中在所述限定沟道的步骤中,所述源极金属层与所述开关单元的源极和漏极分离开。

12.根据权利要求5所述的方法,其中在所述限定沟道的步骤中,依次移除由保留在所述第二连接线上的所述光刻胶图案所暴露出的所述第二连接线的所述透明电极层、所述源极金属层以及所述欧姆接触层。

13.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为无机绝缘层。

14.根据权利要求2所述的方法,其中所述光敏有机保护层由光丙烯形成。

15.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在其中已限定所述沟道并且已形成所述像素电极的所述第一基板上形成第三绝缘层;以及

在所述第三绝缘层上形成公共电极。

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