[发明专利]破碎多晶硅棒的装置和方法有效
申请号: | 201310328379.4 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN103567040A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | J·马特斯;P·格吕布尔;S·里斯 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学股份公司 |
主分类号: | B02C19/08 | 分类号: | B02C19/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李振东;过晓东 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 破碎 多晶 装置 方法 | ||
1.用于破碎多晶硅棒的装置,该装置包括底座以及至少一个可移动的破碎凿及任选存在的至少一个不可移动的砧座,其中所述至少一个破碎凿的纵轴以平行于或者几乎平行于所述底座的表面的方式取向,其中位于所述底座的表面上的待破碎的硅棒能够各自在所述破碎凿与砧座之间以如下方式加以调节,所述破碎凿和砧座能够各自在所述硅棒的区域内与该硅棒接触,硅棒与砧座的接触点以及延伸穿过棒中心的硅棒横轴或者与该横轴平行并且相对于棒中心的距离最大为棒直径的30%的硅棒的轴各自位于所述破碎凿的纵轴上或者位于与所述破碎凿的纵轴平行并且相对于该破碎凿的纵轴的距离最大为棒直径的30%的轴上。
2.根据权利要求1的装置,其中砧座和硅棒具有恰好一个接触点,并且包含该接触点的砧座表面是弯曲的。
3.根据权利要求1或权利要求2的装置,其中所述破碎凿的尖端和所述砧座由碳化钨组成。
4.根据权利要求1的装置,其中所述底座包衬有对硅的污染风险低的材料,并且具有合适的凹坑以接收所述硅棒并使其稳定化,其中不设置砧座。
5.用于破碎多晶硅棒的方法,其中所述多晶硅棒位于底座上,并在此在至少一个可移动的破碎凿和任选存在的至少一个不可移动的砧座之间以如下方式加以调节,所述破碎凿和砧座能够各自在所述硅棒的区域内与该硅棒接触,硅棒与砧座的接触点以及延伸穿过棒中心的硅棒横轴或者与该横轴平行并且相对于棒中心的距离最大为棒直径的30%的硅棒的轴各自位于所述破碎凿的纵轴上或者位于与所述破碎凿的纵轴平行并且相对于该破碎凿的纵轴的距离最大为棒直径的30%的轴上,随后开始打击冲击,其中在开始打击冲击时凿和硅棒不接触,其中所述破碎凿发挥破碎硅棒的作用。
6.根据权利要求5的方法,其中所述砧座的几何轴与所述破碎凿的纵轴成直角或者几乎成直角。
7.根据权利要求5或6的方法,其中多个破碎凿串联连接,并且在硅棒长度上交替地由外向内实施打击序列形式的打击冲击。
8.根据权利要求5的方法,其中所述底座包衬有对硅的污染风险低的材料,并且具有合适的凹坑,从而将所述硅棒在破碎期间保持在稳定的位置上,其中不设置单独的砧座。
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