[发明专利]一种用于IGBT器件的电连接结构无效
| 申请号： | 201310330191.3 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367305A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴磊 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 igbt 器件 连接 结构 | ||
1.一种用于IGBT器件的电连接结构，包括DBC基板、设置于所述DBC基板上的多个IGBT芯片和二极管芯片，其特征在于：所述IGBT芯片的发射极、二极管芯片和外部电路之间，各个IGBT芯片的栅极之间，以及各个IGBT芯片的栅极与外部电路之间都通过一导电薄膜实现电性连接。
2.如权利要求1所述的IGBT器件的电连接结构，其特征在于：所述导电薄膜采用柔性电路板结构、透明导电膜结构、埋入型导电膜结构或薄型金属片中的一种。
3.如权利要求1所述的IGBT器件的电连接结构，其特征在于：所述导电薄膜包括基材层和导电金属层。
4.如权利要求3所述的IGBT器件的电连接结构，其特征在于：所述导电金属层设置于基材层的表面，或者嵌入所述基材层中。
5.如权利要求3所述的IGBT器件的电连接结构，其特征在于：所述导电金属层上包括第一导电图案和第二导电图案，所述第一导电图案和第二导电图案之间绝缘。
6.如权利要求5所述的IGBT器件的电连接结构，其特征在于：所述第一导电图案和第二导电图案上具有按照各个器件之间的电性功能进行设计的图案，使得所述IGBT芯片的发射极和二极管芯片之间通过所述第一导电图案连接，并通过该第一导电图案将所述IGBT芯片的发射极和二极管芯片连接至所述外部电路，所述各个IGBT芯片的栅极之间通过第二导电图案连接，并通过该第二导电图案将所述各个IGBT芯片的栅极连接至所述外部电路。
7.如权利要求1所述的IGBT器件的电连接结构，其特征在于：所述外部电路为由电阻、电容、电感等无源器件以及驱动保护芯片组成的匹配电路，或者为由有源器件或者有源器件与无源器件混合组成的控制电路。
8.如权利要求1所述的IGBT器件的电连接结构，其特征在于：所述导电薄膜通过银膏与IGBT芯片的发射极、栅极以及二极管芯片进行电性连接。
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