[发明专利]使用氧化膜做阻挡层对栅极多晶硅进行刻蚀的方法

权利要求书

1.一种使用氧化膜做阻挡层对栅极多晶硅进行刻蚀的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)使用传统功率器件工艺完成了沟槽(1)的形成；源极保护氧化膜(2)生长；源极多晶硅(3)生长；源极多晶硅(3)全面反刻蚀至沟槽中间特定深度；两层多晶硅之间隔离介质层(4)生长；采用热氧化方法生长栅极氧化膜(5)；栅极多晶硅(6)生长及栅极多晶硅(6)刻蚀至硅表面，此时在硅表面有一层栅极氧化膜(5)而栅极多晶硅(6)表面裸露；

2)使用常压化学气相淀积方法淀积一层与栅极氧化膜(5)相比膜质较疏松的氧化膜(7)；

3)使用光刻掩模版和光刻胶在氧化膜(7)上定义出需要去除栅极多晶硅的区域；

4)利用光刻胶(8)做阻挡层，使用湿法刻蚀将栅极多晶硅去除区域中栅极多晶硅表面的膜质较疏松的氧化膜(7)完全去除，同一区域中的硅表面仍留有一层栅极氧化膜(5)；

5)去除光刻胶(8)后，使用干法刻蚀方法对栅极多晶硅(6)进行刻蚀，栅极多晶硅裸露区域被刻蚀，其他区域因为表面仍有氧化膜(7)覆盖，所以氧化膜(7)覆盖区域的栅极多晶硅和硅表面都得以保留，从而达到去除部分区域栅极多晶硅的目的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述源极多晶硅保护氧化膜(2)的厚度为1100-6000埃；所述源极多晶硅(3)全面反刻蚀至沟槽(1)中间的特定深度为1000埃-1400埃；所述隔离介质层(4)的厚度为2000-3000埃；所述栅极氧化膜(5)的厚度为450-650埃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述氧化膜(7)的膜厚需要保证在后续对栅极多晶硅进行干法刻蚀时，其他不需要去除栅极多晶硅的区域内栅极多晶硅表面的氧化膜和硅表面残留的栅极氧化膜(5)足够厚，用来作为栅极多晶硅保留区域的刻蚀阻挡层。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述氧化膜(7)的厚度为500-1000埃。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于，在步骤4)中，所述使用湿法刻蚀的方法后，同一区域中的硅表面仍残留有一层栅极氧化膜，所述残留的栅极氧化膜需要保留足够的厚度在后续去除栅极多晶硅时保护硅表面，所述残留的栅极氧化膜的厚度为原来栅极氧化膜厚度的70％。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤5)中，所述干法刻蚀的刻蚀时间要求既能将需刻蚀区域的栅极多晶硅完全去除，又要保证刻蚀区域硅表面残留的栅极氧化膜不被完全去除而导致硅表面也被刻蚀。