[发明专利]芯片封装和用于制造芯片封装的方法

权利要求书

1.一种用于制造芯片封装的方法，该方法包括：

在芯片侧上形成电绝缘材料；

选择性地移除所述电绝缘材料的至少一部分，由此在所述电绝缘材料中形成沟槽；

将导电材料沉积在所述沟槽中，其中所述导电材料电连接到形成在所述芯片侧上的至少一个接触焊盘；

在所述电绝缘材料上形成导电结构，其中所述导电结构的至少一部分与所述导电材料直接物理和电连接；以及

在所述导电结构上沉积接合结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在芯片侧上形成电绝缘材料包括：在芯片侧上形成介电层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在芯片侧上形成电绝缘材料包括：在形成于所述芯片侧上的至少一个接触焊盘上形成电绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在芯片侧上形成电绝缘材料包括：形成包括来自下面的材料组的至少一种材料的电绝缘材料，该材料组由下述各项构成：光敏电介质、聚酰亚胺、聚合物、苯并环丁烯BCB、环氧树脂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在芯片侧上形成电绝缘材料包括：直接在所述芯片侧上形成电绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在芯片侧上形成电绝缘材料包括：在所述芯片侧上形成电绝缘材料，其中所述电绝缘材料包括形成在所述芯片侧上的最上面的电绝缘层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在芯片侧上形成电绝缘材料包括：在形成于所述芯片侧上的第一导电层上形成电绝缘材料；

其中所述第一导电层被形成在第一中间导电层上，其中所述第一中间导电层被形成在第一电绝缘层上；

其中所述第一中间导电层的至少一部分与形成在所述芯片侧上的至少一个接触焊盘直接物理和电接触；并且其中

所述第一导电层经由所述第一中间导电层电连接到所述至少一个接触焊盘。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一导电层包括来自下面的材料组的至少一种材料、元件或合金，该组由下述各项构成：铜、铝、银、锡、金、钯、锌、镍、铁。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一中间导电层包括过渡金属的氮化物、硼化物或碳化物中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在芯片侧上形成电绝缘材料包括：在一个或多个导电层上形成电绝缘材料，所述一个或多个导电层电连接到形成于所述芯片侧上的至少一个接触焊盘。

11.根据权利要求10所述的方法，其中选择性地移除所述电绝缘材料的至少一部分由此在所述电绝缘材料中形成沟槽还包括：从所述电绝缘材料选择性地释放所述一个或多个导电层的一个或多个部分。

12.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地移除所述电绝缘材料的至少一部分包括：通过来自下面的方法组的至少一种方法来选择性地移除所述电绝缘材料的至少一部分，所述方法组由下述各项构成：钻孔、激光钻孔、蚀刻、离子铣削、显影。

13.根据权利要求11所述的方法，其中将导电材料沉积在所述沟槽中、其中所述导电材料电连接到形成在所述芯片侧上的至少一个接触焊盘包括：

在从所述电绝缘材料选择性地释放的一个或多个导电层的一个或多个部分上沉积导电材料。

14.根据权利要求1所述的方法，其中将导电材料沉积在所述沟槽中、其中所述导电材料电连接到形成在所述芯片侧上的至少一个接触焊盘包括：

利用导电材料来至少部分地填充所述沟槽。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料包括来自下面的材料组的至少一种材料、元件或合金，该组由下述各项构成：铜、镍、镍掺杂的铜、钛、碳化钛、钨、碳化钨、氧化铪、氧化铱。

16.根据权利要求1所述的方法，其中在所述电绝缘材料上形成导电结构、其中所述导电结构的至少一部分与所述导电材料直接物理和电连接包括：

在所述电绝缘材料上形成包括凸块下金属化结构的导电结构，其中所述导电结构的至少一部分与所述导电材料直接物理和电连接。