[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：

一第一晶片，该第一晶片包含一个化合物半导体集成电路，还包括：

一基板，

一介电层，形成于该基板之上，且具有至少一介电层通孔贯穿该介电层的第一表面与第二表面，

一第一金属层，主要由铜所构成，且具有至少一第一金属垫形成于该介电层第一表面的上，且从该至少一第一金属垫延伸进入至少一介电层通孔，以及

一电子元件层，形成于该基板与该介电层的第二表面之间，具有至少一电子元件及至少一第二金属层，其中该电子元件包含至少一化合物半导体电子元件，至少一该第二金属层连接于至少一该电子元件，且至少一该第二金属层包含至少一第二金属垫形成于一介电层通孔位于该介电层的第二表面的一端，并与延伸进入该介电层通孔的第一金属层形成电接触，其中所有与该至少一化合物半导体电子元件接触的第二金属层主要由金所构成；以及

一第二晶片，包含一电子电路，且堆叠于该第一晶片的介电层的第一表面上，并通过连接到至少其中一个该第一金属垫与第一晶片形成电连接，

其中该第一金属层以三维方式分布于该电子元件层中至少一个电子元件上方，而至少一个该第一金属垫通过该第一金属层延伸进入至少其中一个该介电层通孔而电连接于该介电层通孔另一侧的第二金属垫中的至少一个。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，所有该第二金属层主要由金所构成。

3.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第一晶片的基板由砷化镓(GaAs)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、蓝宝石(sapphire) 或氮化镓(GaN)所构成。

4.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该介电层由介电物质聚苯恶唑 (Polybenzoxazole, PBO)所构成。

5.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该介电层的厚度等于或大于10 μm。

6.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第一晶片包含一异质接面双极性电晶体(heterojunction bipolar transistor, HBT)单晶微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)或一高电子迁移率电晶体(high-electron-mobility transistor, HEMT) MMIC。

7.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第一晶片包含一氮化镓(GaN)场效电晶体(field effect transistor, FET) MMIC。

8.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第一晶片包含一功率放大器MMIC。

9.如权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于，该第二晶片包含下列电路中的一种：一偏压控制电路，用以控制第一晶片中该至少一电子元件的偏压条件；一开关电路，用以控制第一晶片信号路径；一天线开关电路，用以连接第一晶片中功率放大器输出端至天线；一阻抗调节电路，用以调节阻抗大小，并使其随第一晶片中功率放大器的偏压条件及工作频率而改变；以及一由被动元件所构成的阻抗匹配电路，用以匹配第一晶片中功率放大器的输入与/或输出端的阻抗。

10.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第二晶片包含一化合物半导体MMIC。

11.如权利要求10所述的半导体集成电路，其特征在于，该第二晶片的基板由砷化镓(GaAs)所构成。

12.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第二晶片包含一硅互补式金属氧化物半导体(Si CMOS)集成电路。

13.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第二晶片包含至少一被动元件集成整合于同一基板，且该基板的材料可为硅、砷化镓、或玻璃。

14.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，该第二晶片包含一滤波器。