[发明专利]发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：

基板；

半导体外延层，配置于该基板上，且暴露出该基板的一部分；

反射导电结构层，覆盖部分该半导体外延层以及被该半导体外延层所暴露出的该基板的该部分，其中该反射导电结构层将来自该 半导体外延层的光线朝该基板方向反射；

第一电极，配置于该反射导电结构层上；

第二电极，配置于该反射导电结构层上；以及

连接层，配置于该半导体外延层的一凹陷区域内且电性连接该第一电极与该半导体外延层；

其中，该第一电极配置于该半导体外延层的一第一部分上，该第二电极配置于该半导体外延层的一第二部份上，且该反射导电结构层至少配置于该第一电极与该半导体外延层的该第一部分之间以及该第二电极与该半导体外延层的该第二部分之间；

其中该半导体外延层包括依序配置于该基板上的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层；

其中该反射导电结构层包括依序配置的透明导电层、反射层以及阻障层，该透明导电层与该阻障层至少位在该第二型半导体层上，该反射层覆盖部分该半导体外延层以及被该半导体外延层所暴露出的该基板的该部分。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该阻障层的边缘切齐于该基板的边缘。

3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，该基板具有上表面以及连接该上表面的环状倾斜面，而该阻障层从该上表面延伸覆盖于该环状倾斜面上。

4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该基板具有上表面以及连接该上表面的环状倾斜面，而该透明导电层、该反射层以及该阻障层从该上表面延伸覆盖于该环状倾斜面上，且该透明导电层的边缘、该反射层的边缘以及该阻障层的边缘切齐于该基板的边缘。

5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该基板具有上表面以及连接该上表面的环状倾斜面，而该透明导电层、该反射层以及该阻障层从该上表面延伸覆盖于该环状倾斜面上且收敛至同一位置。

6.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该反射层为布拉格反射镜。

7.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：

绝缘层，配置于该基板与该反射导电结构层之间以及该半导体外延层与该反射导电结构层之间。

8.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该凹陷区域将该半导体外延层区分为第一半导体区块与第二半导体区块，该第一电极配置于该第一半导体区块上，该第二电极配置于该第二半导体区块上。

9.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：

电性绝缘层，至少配置于该第一电极与该反射导电结构层之间以及该连接层与该反射导电结构层之间。

10.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一电极与该连接层的材料不同。