[发明专利]一种高功率的半导体断路开关有效
| 申请号： | 201310331972.4 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103441699A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王海洋;谢霖燊;何小平;张国伟;陈维青;陈志强;郭帆;贾伟;李俊娜;汤俊萍;孙凤荣 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | H02M9/04 | 分类号： | H02M9/04 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 断路 开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种高功率的半导体断路开关，其特征在于包括充电电源U、晶闸管Th1、二极管D1,D2,D3、电感L1、电感L2、触发开关S1、触发电容C1、主开关RSD、磁开关MS、换流电容C2和回路电感L0；充电电源U的正端通过串联的晶闸管Th1和二极管D3与回路电感L0连接，回路电感L0的另一端连接充电电源U的负端并接地；电感L1连接于晶闸管Th1与二极管D3的节点和充电电源U的负端；二极管D2、主开关RSD、磁开关MS和换流电容C2的串联电路与二极管D3并联；触发开关S1和电感L2的串联电路与触发电容C1和主开关RSD并联；所述二极管D1与晶闸管Th1反向并联；所述晶闸管Th1和二极管D3反向连接；所述换流电容C2的负端连接回路电感L0。
2.根据权利要求1所述高功率的半导体断路开关，其特征在于：所述充电电源U为电容器组、电池组或脉冲发电机。
3.根据权利要求1所述高功率的半导体断路开关，其特征在于：所述RSD触发开关S1为MOS管、IGBT开关或晶闸管。
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