[发明专利]多层陶瓷电容器及其安装板

说明书

本发明提供了一种多层陶瓷电容器，包括陶瓷体、第一至第三电容器部件、第一和第二内部连接导体、以及第一至第四外部电极，其中，所述第一电容器部件与所述第二内部连接导体以串联方式连接，并且所述第二电容器部件与所述第一内部连接导体以串联方式连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年4月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0044157的优先权，该申请的全部内容通过引用的方式结合到本申请中。

技术领域

本发明涉及多层陶瓷电容器及其安装板。

背景技术

多层陶瓷电容器，多层芯片（chip）电子元件，是一种安装于诸如包括液晶显示屏（LCD）和等离子显示板（PDP）的显示设备、以及计算机、个人数字助理（PDA）、移动电话等各种电子产品的印刷电路板上的用于在其上完成充电或放电的片状（chip-shaped）电容器。

这种多层陶瓷电容器（MLCC）由于具有尺寸小、电容高和易于安装等优点，所以这种多层陶瓷电容器可以被用作各种电子产品中的组件。

多层陶瓷电容器可以具有如下结构：多个介电层和具有不同极性并布置于各介电层之间的多个内部电极交替地堆叠。

尤其是，在用于例如计算机等中央处理单元（CPU）的电源中，由于在提供低级电压的过程中快速改变负载电流的级别，电压噪声会被生成。

因此，作为去耦电容，多层电容器被广泛地应用于在上述电源中来抑制电压噪声。

相符于操作频率的增长具有低等效串联电容（ESL）的去耦多层陶瓷电容器被需求，并且对降低ESL的技术的研究已经被积极地进行。

此外，为了更稳定地供电，具有可控等效串联电阻（ESR）特性的去耦多层陶瓷电容器被需求。

在多层陶瓷电容器的ESR级别低于期望的ESR级别的情况下，多层陶瓷电容器的ESL以及由微处理器封装（package）的平面电容（plane capacitance）导致而生成的并联共振频率中的阻抗峰值会增加，同时多层陶瓷电容器的串联共振频率的阻抗会急剧降低。

因此，可以容易地控制和改善去耦多层陶瓷电容器的ESR特性，从而用户可以实现配电网络中的平稳阻抗（flat impedance）特性。

关于对ESR的控制，可以考虑将具有高电阻的材料用于外部电极和内部电极。使用具有高电阻的材料会有优势，是因在为类似于现有技术中的情况中，在维持低ESL结构的同时高ESR特性被提供。

然而，在将具有高级别电阻的材料用于外部电极的情况下，由针孔导致的电流传导（channeling）现象引起的局部热点被生成。此外，在将具有高级别电阻的材料用于内部电极的情况下，需要连续地改变内部电极材料来根据高电容匹配陶瓷材料。

因此，由于根据现有技术的控制ESR的方法具有上述缺陷，考虑控制ESR的多层陶瓷电容器的研究仍然是必要的。

此外，随着诸如平板电脑和超级笔记本等移动终端的快速发展，在近些年，微处理器已转化为具有小尺寸的高集成产品。

因此，由于印刷电路板的面积被减小以及在其中用于安装去耦电容器的空间有限，可以克服上述缺陷的多层陶瓷电容器被需求。

现有技术文件

（专利文件1）日本专利公开No.2010-098254

发明内容

本发明的一个方面提供一种多层陶瓷电容器及其安装板。