[发明专利]多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺

权利要求书

1.多晶硅太阳能电池硅片酸制绒后的清洗工艺，其特征在于，对酸制绒后的多晶硅片，用含氧化剂的酸溶液或碱溶液进行清洗。

2.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，所述酸溶液中配入的氧化剂为NaClO、H₂O₂、NH₄NO₃或HNO₃；所述碱溶液中配入的氧化剂为NaClO、H₂O₂或NH₄NO₃。

3.根据权利要求2所述的清洗工艺，其特征在于，所述酸溶液中配入了0.1%-15%的HF水溶液和1%-15%的HCl水溶液；所述HF水溶液中含有49%的HF，所述HCl水溶液中含有37%的HCl；其中，所述百分比为质量百分比。

4.根据权利要求2所述的清洗工艺，其特征在于，所述碱溶液中配入了0.1%-10%的碱，所述碱包括NaOH和/或KOH；其中，所述百分比为质量百分比。

5.根据权利要求3或4所述的清洗工艺，其特征在于，所述以NaClO为氧化剂的酸溶液或碱溶液中配入了2%-10%的NaClO水溶液，所述NaClO水溶液中含有10%的NaClO；酸溶液清洗温度为10-30℃；碱溶液清洗温度为20-50℃。

6.根据权利要求3或4所述的清洗工艺，其特征在于，所述以H₂O₂为氧化剂的酸溶液或碱溶液中配入了5%-10%的H₂O₂水溶液，所述H₂O₂水溶液中含有30%的H₂O₂；酸溶液清洗温度为10-30℃，碱溶液清洗温度为30-70℃。

7.根据权利要求3或4所述的清洗工艺，其特征在于，所述以NH₄NO₃为氧化剂的酸溶液或碱溶液中配入了2%-5%的NH₄NO₃；清洗温度为10-30℃。

8.根据权利要求3所述的清洗工艺，其特征在于，所述以HNO₃为氧化剂的酸溶液中配入了3%-10%的HNO₃水溶液，所述HNO₃水溶液中含有69%的HNO₃；清洗温度为10-20℃。