[发明专利]发光二极管外延生长方法有效
| 申请号： | 201310332344.8 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103560181A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄小辉;李晓莹;周德保;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管外延生长方法，其特征在于，包括：
在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，所述非掺杂层采用退火方式进行生长。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石Al2O3、硅Si或碳化硅SiC；
所述缓冲层、所述非掺杂层、所述N型掺杂层、所述量子阱发光层和所述P型掺杂层为氮化镓GaN。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非掺杂层采用退火方式进行生长，包括：
在第一生长温度下生长第一厚度的所述非掺杂层；
在所述第二生长温度下生长第二厚度的所述非掺杂层，所述第二生长温度低于所述第一生长温度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二生长温度和所述第一生长温度的差值在20℃-300℃之间。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述非掺杂层采用一次所述退火方式进行生长。
6.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述非掺杂层采用至少两次所述退火方式进行生长，且每次所述退火方式中，所述第一生长温度相同，所述第二生长温度相同。
7.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述非掺杂层采用至少两次所述退火方式进行生长，且每次所述退火方式中，所述第一生长温度不同，所述第二生长温度不同。
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