[发明专利]一种闪存存储器的制备方法

权利要求书

1.一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

1）提供一半导体衬底，通过隔离结构将所述半导体衬底隔离出有源区，并在所述有源区上形成隧穿氧化层； 

2）对所述半导体衬底进行氧化处理以增强与隧穿氧化层相接触的有源区表面的稳定性；

3）依次在所述隧穿氧化层上形成浮栅、阻挡氧化层及控制栅以在所述有源区上形成栅结构，在栅结构两侧形成侧墙结构，对栅结构两侧的所述有源区进行掺杂以形成源区和漏区；

4）在所述源区和漏区表面形成金属硅化物。

2.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：步骤2）中在800~1200℃，通入氧气4~6分钟对所述半导体衬底进行氧化处理。

3.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：步骤4）包括：

4-1）在所述步骤3）获得的结构表面形成金属层，并在第一温度下以第一预设时间进行热处理以在所述源区和漏区表面形成金属硅化物；

4-2）在第二温度下以第二预设时间对所述金属硅化物进行热处理以增强所述金属硅化物的稳定性及表面均匀性，其中，所述第二温度大于第一温度，第二预设时间小于第一预设时间；

4-3）刻蚀去除未进行硅化反应的金属层。

4.根据权利要求3所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述第二温度范围为640~840℃，所述第二预设时间范围为4~6s。

5.根据权利要求3所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述金属层的材料至少包括钴或镍。

6.根据权利要求3所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述金属层的厚度范围为50~400埃。

7.根据权利要求6所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述金属层的厚度范围为100~250埃。

8.根据权利要求1或3所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述金属硅化物至少包括钴金属硅化物或镍金属硅化物。

9.根据权利要求3所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤4-3）中的刻蚀工艺采用湿法刻蚀，刻蚀溶液至少包括王水或氨水、或双氧水和水的混合溶液、或双氧水和硫酸的混合溶液。

10.根据权利要求1或3所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述隔离结构为浅沟槽隔离或绝缘介质隔离。

11.根据权利要求1或3所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底材料为硅、硅锗、绝缘层上硅、绝缘层上硅锗或绝缘层上锗。