[发明专利]一种电子电路的制造方法

权利要求书

1. 一种电子电路的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）准备一电路载体，其中，所述电路载体的材料为非金属材料；

（2）对所述电路载体的表面根据所需的电子电路的形状进行选择性电磁照射，从而在所述电路载体的表面形成照射区域；

（3）采用酸性或碱性试剂对所述电路载体的表面进行化学表面调整处理，使所述照射区域表面的化学性质发生改变，由非极性转变为有极性，具有吸附胶团的功能；对所述电路载体的表面进行化学活化处理，在所述照射区域内形成一金属晶核；

（4）再进行电镀或者化镀工艺，以所述金属晶核为基础，沉积若干金属层，从而在所述照射区域形成所述电子电路。

2. 根据权利要求1所述的一种电子电路的制造方法，其特征在于，所述步骤（3）进一步包括如下步骤：

（31）采用稀硫酸对所述电路载体进行表面调整处理； 

（32）采用钯活化试剂对所述电路载体进行钯活化，使金属钯附着在所述照射区域内，形成一钯金属层，所述钯金属层即为所述金属晶核。

3. 根据权利要求2所述的一种电子电路的制造方法，其特征在于，所述稀硫酸的浓度范围为20%~50%。

4. 根据权利要求1所述的一种电子电路的制造方法，其特征在于，所述酸性或碱性试剂为氢氟酸、铬酸、磷酸、磷酸三钠、氢氧化铵或氢氧化钾中的一种。

5. 根据权利要求4所述的一种电子电路的制造方法，其特征在于，所述氢氟酸、铬酸、磷酸、磷酸三钠、氢氧化铵或氢氧化钾的浓度范围为10%~50%。

6. 根据权利要求1所述的一种电子电路的制造方法，其特征在于，所述若干金属层的材料为铜、镍、金中的一种或两种或全部。

7. 根据权利要求1所述的一种电子电路的制造方法，其特征在于，所述步骤（4）进一步包括如下步骤：

首先，对所述电路载体进行电镀或化学镀，在所述金属晶核上沉积一镀铜层；

然后，通过电镀或化学镀在所述镀铜层上沉积一镀镍层；

最后，通过电镀或化学镀在所述镍金属层上沉积一镀金层，形成电子电路。

8. 根据权利要求1-7任一项所述的一种电子电路的制造方法，其特征在于，所述电路载体的材料为高分子化合物。

9. 根据权利要求8所述的电子电路的制造方法，其特征在于，所述高分子化合物为塑料、纤维或橡胶。

10. 根据权利要求8所述的电子电路的制造方法，其特征在于，所述电路载体由高分子化合物通过注塑、挤出或者吹塑成型制得。

11. 根据权利要求1-7任一项所述的一种电子电路的制造方法，其特征在于，所述电磁照射采用的是激光照射的方式，所述激光的波长为100-20000纳米。