[发明专利]温度感测电路及驱动电路有效
申请号: | 201310334752.7 | 申请日: | 2013-07-26 |
公开(公告)号: | CN104347042B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 刘柏村;竹立炜;郑光廷;郭奕君;陈俊谚;赖谷皇 | 申请(专利权)人: | 凌巨科技股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人: | 寿宁,张华辉 |
地址: | 中国台湾苗栗*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 电路 驱动 | ||
1.一种温度感测电路,其特征在于,其包含:
一开关电路,接收一供应电压以产生一开关信号,该开关信号的位准相关于一温度状态;
一充电电路,耦接该开关电路且接收该供应电压,该开关信号控制该充电电路,以依据该供应电压产生一电压信号,该电压信号的位准相关于该温度状态;以及
一判断电路,耦接该充电电路,该判断电路依据该电压信号的位准产生一判断信号,该判断信号表示该温度状态;
其中,该开关电路包含:
一第一晶体管,接收该供应电压;
一第二晶体管,耦接于该第一晶体管与一接地端之间,且受控于一重置信号;以及
一第一电容,耦接于该第一晶体管及该第二晶体管的一连接点与该接地端之间,其中当该第一晶体管被导通且该第二晶体管被该重置信号截止时,该供应电压经该第一晶体管对该第一电容进行充电,而产生该开关信号;
该充电电路包含:
一第三晶体管,接收该供应电压且受控于一取样信号;
一第四晶体管,耦接该第三晶体管及该第一电容且受控于该开关信号;
一第五晶体管,耦接于该第四晶体管与该接地端之间且受控于该重置信号;以及
一第二电容,耦接于该第四晶体管及该第五晶体管的一连接点与该接地端之间,其中当该第三晶体管被该取样信号导通、该第四晶体管被该开关信号导通及该第五晶体管被该重置信号截止时,该供应电压经该第三晶体管与该第四晶体管对该第二电容进行充电,以产生该电压信号,该第四晶体管的导通程度决定于该开关信号的位准;
该判断电路包含:
一比较电路,比较该电压信号的位准与一参考位准,而产生该判断信号;以及
一晶体管,耦接该充电电路与该比较电路之间,且受控于一侦测信号,其中当该晶体管被该侦测信号导通,该电压信号经该晶体管而被传输至该比较电路。
2.如权利要求1所述的温度感测电路,其特征在于,其中该第一晶体管的一闸极与一汲极共同地接收该供应电压,该第二晶体管的一汲极耦接该第一晶体管的一源极,该第二晶体管的一闸极接收该重置信号,该第二晶体管的一源极耦接该接地端,该第一电容的一第一端耦接该第一晶体管的该源极及该第二晶体管的该汲极,且该第一电容的一第二端耦接该接地端。
3.如权利要求1所述的温度感测电路,其特征在于,其中该第三晶体管的一汲极接收该供应电压,该第三晶体管的一闸极接收该取样信号,该第四晶体管的一汲极耦接该第三晶体管的一源极,该第四晶体管的一闸极耦接该第一电容且受控于该开关信号,该第五晶体管的一汲极耦接该第四晶体管的一源极,该第五晶体管的一闸极接收该重置信号,该第五晶体管的一源极耦接于该接地端,该第二电容的一第一端耦接该第四晶体管的该源极与该第五晶体管的该汲极,该第二电容的一第二端耦接该接地端。
4.如权利要求1所述的温度感测电路,其特征在于,其中该充电电路包含至少一充电单元。
5.如权利要求1所述的温度感测电路,其特征在于,其中该温度状态包含一第一温度状态及一第二温度状态,且该第一温度状态高于该第二温度状态。
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