[发明专利]发光二极管在审
申请号: | 201310335171.5 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN104347603A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 胡必强;许时渊 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 孔丽霞 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种二极管,特别是指一种发光二极管。
背景技术
发光二极管作为新兴的光源,已被广泛地应用于各种用途当中。为提升发光亮度,业界设计出集成多个芯片的发光二极管,以通过各芯片同时发光来输出较高的光强。
现有的多芯片发光二极管通常是由壳体、嵌设于壳体内的二电极、安装于电极上的多个芯片及封装芯片的封装体所组成。每一芯片通过打线的方式与二电极连接。然而,由于壳体内的芯片数量较多,需要打线的数量也相应地较多,而电极上可供打线的区域面积有限,导致在打线过程中容易发生打线不牢的情况发生,进而影响到产品良率。
发明内容
因此,有必要提供一种良率较高的发光二极管。
一种发光二极管,包括壳体、第一电极、第二电极、第一发光芯片、第二发光芯片、导线及封装体,第一电极的末端及第二电极的末端相向凸伸出打线区域,第一电极的打线区域与第二电极的打线区域通过绝缘区域错开,第一发光芯片与第一电极电连接并通过导线电连接至第二电极的打线区域,第二发光芯片与第二电极电连接并通过导线电连接至第一电极的打线区域。
由于分别在第一电极及第二电极上形成凸出的二打线区域,使得第一电极及第二电极用于打线的区域面积得到增加,因此第一发光芯片及第二发光芯片的导线可方便、可靠地打在二打线区域上,从而防止出现打线不牢的情况,进而提升产品的良率。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明一实施例的发光二极管的剖面示意图。
图2为图1的发光二极管的俯视图。
图3与图1相似,其中发光二极管的第一发光芯片及第二发光芯片被隐藏。
图4为图3的俯视图。
主要元件符号说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310335171.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率半导体器件和方法
- 下一篇:半导体封装件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类