[发明专利]瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺有效
| 申请号： | 201310335334.X | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103606521A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 应燕霞;李国良;陆延年;刘海花 | 申请（专利权）人： | 南通康比电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制 二极管 芯片 制作 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺 ，其特征在于，包括两个生产制程：扩散制程及GPP制程：
所述扩散制程的步骤依次为：原硅片测试、原硅片清洗、附磷、磷扩、磷晶分、单面吹砂、单吹清洗、涂硼、硼扩、硼晶分、硼面吹砂、硼吹清洗；其中，步骤硼扩包括两次硼扩过程，分别为一次硼扩及二次硼扩；
所述GPP制程的步骤依次为：氧化、一次光刻、沟槽蚀刻、烧光阻、沟槽清洗、形成SIPOS钝化膜、玻璃钝化 、二次光刻、表面蚀刻、 镀镍金和划片；
所述一次硼扩及二次硼扩的过程为：一次硼扩的过程为：扩散炉的初始温度为500℃，以5℃/分钟的速率升温至1262℃，恒温10H后，再以1℃/分钟的速率降温至1150℃，恒温1H后，以1℃/分钟的速率降温至500℃后出炉；二次硼扩的过程为：扩散炉的初始温度为500℃，以5℃/分钟的速率升温至1262℃，恒温2H后，再以1℃/分钟的速率降温至1150℃，恒温1H后，以1℃/分钟的速率降温至500℃后出炉。
2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺 ，其特征在于，所述形成SIPOS钝化膜的过程为：在芯片P区PN结沟槽中做LPCVD，形成SIPOS钝化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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