[发明专利]过电流保护电路以及其服务器

权利要求书

1.一种过电流保护电路，其特征在于，设置于一主机板上，并耦接于一电源供应模块与所述主机板上的一负载之间，所述过电流保护电路包括：

一检测元件，具有一第一端与一第二端，所述第一端耦接于所述电源供应模块；

一检波单元，分别耦接于所述第一端与所述第二端，以检测所述电源供应模块输出的一供应电流于所述检测元件产生的一检测电压；

一比较单元，耦接于所述检波单元，用以比较所述检测电压与一参考电压，以产生一控制电压；以及

一功率开关，耦接于所述第二端与所述负载之间，所述功率开关并耦接于所述比较单元，以受控于所述控制电压；

其中，当所述比较单元判断所述检测电压高于所述参考电压时，所述比较单元截止所述功率开关，以切断所述电源供应模块与所述负载之间的一供电路径。

2.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，当所述比较单元判断所述检测电压低于所述参考电压时，所述比较单元导通所述功率开关，以导通所述供电路径，将所述电源供应模块输出的一供应电压输出至所述负载，以驱动所述负载运作。

3.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，所述检波单元包括：

一电压检测单元，分别耦接于所述第一端与所述第二端，以判断所述第一端与所述第二端之间的电压差异；以及

一信号放大单元，耦接于所述电压检测单元，所述信号放大单元用以放大所述电压检测单元的判断结果，并对应产生所述检测电压。

4.根据权利要求3所述的过电流保护电路，其特征在于，所述电压检测单元包括：

一减法器，具有一第一输入端、一第二输入端以及一第一输出端，所述第一输入端耦接于所述第一端，所述第二输入端耦接于所述第二端，所述第二输入端并耦接于所述第一输出端；

一第一电阻，耦接于所述第一端与所述第一输入端之间；

一第二电阻，耦接于所述第二端与所述第二输入端之间；

一第三电阻，耦接于所述第一输入端与一接地端之间；以及

一第四电阻，耦接于所述第二输入端与所述第一输出端之间。

5.根据权利要求4所述的过电流保护电路，其特征在于，所述信号放大单元包括：

一电压放大器，具有一第三输入端、一第四输入端以及一第二输出端，所述第三输入端耦接于所述减法器的所述第一输出端，所述第四输入端耦接于所述第二输出端，所述第二输出端另耦接于所述比较单元；

一第五电阻，耦接于所述第四输入端与所述接地端之间；以及

一第六电阻，耦接于所述第四输入端与所述第二输出端之间。

6.根据权利要求5所述的过电流保护电路，其特征在于，所述比较单元包括一比较器，具有一第五输入端、一第六输入端以及一第三输出端，所述第五输入端耦接于所述第二输出端，所述第六输入端耦接于所述参考电压，所述第三输出端用以输出所述控制电压至所述功率开关。

7.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，更包括：

一软启动单元，耦接于所述比较单元与所述功率开关之间，所述软启动单元用以延迟所述功率开关于一预设时间后导通。

8.根据权利要求7所述的过电流保护电路，其特征在于，所述软启动单元包括：

一第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的漏极耦接于所述检测元件的所述第二端，所述第一NMOS晶体管的源极耦接于一接地端，所述第一NMOS晶体管的栅极耦接于所述比较单元，以接收所述控制电压；

一第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的漏极耦接于所述检测元件的所述第二端，所述第二NMOS晶体管的源极耦接于所述接地端，所述第二NMOS晶体管的栅极耦接于所述第一NMOS晶体管的漏极；

一第一电容，耦接于所述第二NMOS晶体管的栅极与所述接地端之间；以及

一第七电阻，与所述第一电容并联。

9.根据权利要求1或6所述的过电流保护电路，其特征在于，所述功率开关为一PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极耦接于所述检测元件的所述第二端，所述PMOS晶体管的漏极耦接于所述负载，所述PMOS晶体管的栅极耦接于所述比较单元以接收所述控制电压。

10.根据权利要求1或6所述的过电流保护电路，其特征在于，所述检测元件为一电阻。