[发明专利]纳米晶显示装置及其形成方法

权利要求书

1.一种纳米晶显示装置，所述纳米晶显示装置包括显示面板和背光单元，显示面板包括多个像素和基底，基底包括与所述多个像素对应的多个像素区域以及位于像素区域之间的边界区域，背光单元将光提供至显示面板并面对基底的上表面，每个像素包括：

第一电极，位于基底的上表面上并位于对应的像素区域中；

第二电极，位于基底的上表面上并沿剖面方向与第一电极分隔开；

隧道状腔，限定在所述多个像素区域中并与基底分隔开预定距离；以及

图像显示层，位于隧道状腔中。

2.根据权利要求1所述的纳米晶显示装置，其中，每个像素还包括：

栅极线，位于基底的上表面上并沿行方向延长；

数据线，位于基底的上表面上，沿列方向延长，并且与栅极线绝缘并与栅极线交叉；以及

薄膜晶体管，连接到第一电极、栅极线和数据线。

3.根据权利要求2所述的纳米晶显示装置，其中，薄膜晶体管包括：

栅电极，从栅极线分支出；

源电极，从数据线分支出；以及

漏电极，连接到第一电极。

4.根据权利要求3所述的纳米晶显示装置，其中，显示面板还包括：

黑色矩阵，在边界区域中位于薄膜晶体管上；

滤色器，位于基底的上表面上并位于像素区域中；

连接电极，从第一电极分支出；以及

接触孔，限定在黑色矩阵中，

其中，第一电极位于滤色器上，薄膜晶体管的漏电极通过接触孔电连接到连接电极。

5.根据权利要求4所述的纳米晶显示装置，其中，第二电极在边界区域中接触黑色矩阵，并在第二电极与像素区域叠置的区域中与滤色器分隔开，以限定隧道状腔。

6.根据权利要求4所述的纳米晶显示装置，其中，显示面板还包括位于黑色矩阵和滤色器上并覆盖第一电极的绝缘层，

其中，第二电极在边界区域中接触绝缘层并在第二电极与像素区域叠置的区域中与绝缘层分隔开，以限定隧道状腔。

7.根据权利要求3所述的纳米晶显示装置，其中，显示面板还包括抗反射层，抗反射层位于基底的上表面与栅电极之间并且具有比栅电极的反射率低的反射率。

8.根据权利要7所述的纳米晶显示装置，其中，抗反射层的宽度与栅电极的宽度基本上相同。

9.根据权利要求7所述的纳米晶显示装置，其中，

抗反射层的宽度与栅极线的宽度基本上相同，

抗反射层沿与栅极线相同的方向延长并且位于栅极线与基底的上表面之间。

10.根据权利要求7所述的纳米晶显示装置，其中，抗反射层包括氧化铬。

11.根据权利要求7所述的纳米晶显示装置，其中，抗反射层具有范围为0%至20%的反射率。

12.根据权利要求1所述的纳米晶显示装置，其中，显示面板还包括：

覆盖层，沿行方向延长并且覆盖第二电极的上表面；以及

密封剂层，位于覆盖层上，

其中，背光单元位于密封剂层上。

13.根据权利要求12所述的纳米晶显示装置，其中，

隧道状腔沿列方向延长，

隧道状腔的沿列方向的两个相对端敞开，所述两个相对端暴露隧道状腔中的图像显示层，

密封剂层覆盖基底并且封挡隧道状腔的所述两个相对端以密封隧道状腔。

14.根据权利要求1所述的纳米晶显示装置，其中，图像显示层是液晶层或电泳层。

15.根据权利要求1所述的纳米晶显示装置，其中，第一电极包括：

十字状的敞开的主干部分；

多个分支部分，以辐射形式从主干部分向外部延伸；以及

多个细缝，位于相邻的分支部分之间。

16.根据权利要求1所述的纳米晶显示装置，其中，像素沿行方向和与行方向交叉的列方向布置，第二电极沿行方向延长。

17.一种形成纳米晶显示装置的方法，所述方法包括：提供显示面板，显示面板包括多个像素和基底，所述多个像素沿行方向和与行方向交叉的列方向布置，基底包括与所述多个像素对应的多个像素区域以及位于像素区域之间的边界区域；以及提供背光单元，背光单元将光提供至显示面板，背光单元面对基底的上表面，

每个像素包括：

第一电极，位于基底的上表面上并位于对应的像素区域中；

第二电极，位于基底的上表面上，沿行方向延长并沿剖面方向与第一电极分隔开，其中，第二电极与第一电极形成电场；

隧道状腔，限定在所述多个像素区域中并与基底分隔开预定距离；以及

图像显示层，位于隧道状腔中，其中，图像显示层根据形成在第一电极与第二电极之间的电场显示图像。