[发明专利]一种存储器的存储方法及存储系统

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种存储器的存储方法及存储系统。

背景技术

SLC(Single-Level Cell，单层存储单元)Flash Memory和MLC(Multi-Level Cell，多层存储单元)Flash Memory属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，可以作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。

SLC的存储原理是在浮置闸极与源极之中有一层较薄的氧化薄膜，写入数据时，通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，其读写速度较快，但由于SLC存储密度较低，每个逻辑块只能存储1位信息，当存储大量的数据时，需要的存储空间更大，导致资源成本增高。MLC的存储原理是将两个单位的信息存入一个Floating Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个逻辑块储存两位数据，数据密度比较大。但由于MLC的每个逻辑块中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，导致其读写速度较慢，并容易产生数据丢失等问题。

因此，现有技术中，当SLC存储器要存储大量数据时，需要的存储空间更大，导致资源成本增高；当MLC需要存储安全性高的数据时，由于其结构的复杂性，容易产生数据丢失等问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种存储器的存储方法及存储系统，以解决当SLC存储器要存储大量数据时，需要的存储空间更大，导致资源成本增高；当MLC需要存储安全性高的数据时，由于其结构的复杂性，容易产生数据丢失等问题。

本发明实施例提供了一种存储器的存储方法，该方法包括：

确定SLC模式逻辑块中需要迁移的数据，并将SLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的MLC模式逻辑块中；以及

确定MLC模式逻辑块中需要迁移的数据，并将MLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的SLC模式逻辑块中。

本发明实施例提供了一种存储器的存储系统，该存储系统包括：

存储单元，用于存储SLC模式逻辑块和MLC模式逻辑块；

处理单元，用于确定SLC模式逻辑块中需要迁移的数据，并将SLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的MLC模式逻辑块中；以及确定MLC模式逻辑块中需要迁移的数据，并将MLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的SLC模式逻辑块中。

本发明实施例采用确定SLC模式逻辑块中需要迁移的数据，并将SLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的MLC模式逻辑块中；以及确定MLC模式逻辑块中需要迁移的数据，并将MLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的SLC模式逻辑块中的方法，当存储的数据对安全性要求较高时，将该数据迁移至SLC模式逻辑块中进行存储，当存储的数据量较大时，将数据迁移至MLC模式逻辑块中存储。避免了SLC存储大量数据时，需要的存储体体积更大，导致资源成本增高；MLC需要存储安全性高的数据时，容易产生数据丢失等问题。

附图说明

图1为本发明实施例中将SLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的MLC模式逻辑块的方法流程示意图；

图2为本发明实施例中将SLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的MLC模式逻辑块的具体方法流程示意图；

图3为本发明实施例中将MLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的SLC模式逻辑块的方法流程示意图；

图4为本发明实施例中将MLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的SLC模式逻辑块的具体方法流程示意图；

图5为本发明实施例中一种存储器的具体存储方法的流程示意图；

图6为本发明实施例中一种存储器的存储系统的示意图。

具体实施方式

本发明实施例采用确定SLC模式逻辑块中需要迁移的数据，并将SLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的MLC模式逻辑块中；以及确定MLC模式逻辑块中需要迁移的数据，并将MLC模式逻辑块中需要迁移的数据迁移至未存储数据的SLC模式逻辑块中的方法，当存储安全性要求较高的数据时，将该数据迁移至SLC模式逻辑块中进行存储，当存储的数据量较大时，将数据迁移至MLC模式逻辑块中存储。

下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。

本发明实施例中一种存储器的存储方法，该方法包括：